비샤이
- 도입
- 가장 새로운 제품
도입
비샤이
가장 새로운 제품
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
로에스 SOD123 경우 고속 스위칭 다이오드 SOT23 1N4148W-E3-08 |
다이오드 75V 150mA 표면 실장 SOD-123
|
|
|
|
|
|
|
LL42-GS08 30V 200mA SOD - 80 신호 쇼트키 다이오드 |
다이오드 30V 200mA 표면 실장 SOD-80 MiniMELF
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ170A-E3/52 피크 펄스 전력 600W 17V 이격된 전압 비샤이 |
275V 클램프 2.2A Ipp TVs 다이오드 표면 실장 DO-214AA(SMBJ)
|
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 일반 용도 직렬 다이오드 P 채널 150W 구멍을 통해 |
P채널 200V 12A(Tc) 150W(Tc) 스루홀 TO-247AC
|
|
|
|
|
|
|
TO-247 비샤이 파워 모스펫 12A 200V p 채널 IRFP9240PBF |
P채널 200V 12A(Tc) 150W(Tc) 스루홀 TO-247AC
|
|
|
|
|
|
|
VO1400AEFTR 현장효과 트랜지스터 새롭고 원본 스톡 |
고체 상태 SPST-NO (1 형태 A) 4 SOP (0.173 ", 4.40 밀리미터)
|
|
|
|
|
|
|
VS-60CPQ150PBF 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
다이오드 어레이 1쌍 공통 음극 150V 30A 스루홀 TO-247-3
|
|
|
|
|
|
|
VS-36MB160A 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
브리지 정류기 단상 표준 1.6kV QC 단자 D-34
|
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
N채널 200V 18A(Tc) 125W(Tc) 스루홀 TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
N채널 200V 5.2A(Tc) 50W(Tc) 스루홀 TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
MBRB10100-E3/8W 새롭고 원본 주식 |
다이오드 100V 10A 표면 장착 TO-263AB (D2PAK)
|
|
|
|
|
|
|
새로운 VS-HFA25PB60PBF와 원종축 |
홀 TO-247AC을 통한 Ｖ 25A가 변경한 다이오드 600
|
|
|
|
|
|
|
새로운 TCMT1107과 원종축 |
광분리기 트랜지스터 출력 3750Vrms 1 채널 4-SOP
|
|
|
|
|
|
|
새롭고 원래인 1N5245B-tap은 비축합니다 |
홀 DO-35 (DO-204AH)를 통한 제너 다이오드 15 Ｖ 500 mW ±5%
|
|
|
|
|
|
|
새로운 SUD17N25-165-E3과 원종축 |
엔-채널 250 Ｖ 17A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) 표면 부착 TO-252AA
|
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
N채널 200V 5.2A(Tc) 50W(Tc) 스루홀 TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
VS-63CPQ100PBF 필드 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
다이오드 어레이 1쌍 공통 음극 100V 30A 스루홀 TO-247-3
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540PBF 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
홀 TO-220AB을 통한 P-채널 100 Ｖ 19A (Tc) 150W (Tc)
|
|
|
|
|
|
|
IRF9640STRLPBF 필드 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
P-채널 200 Ｖ 11A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) 표면 부착 D2PAK (TO-263)
|
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF 현장효과 트랜지스터 새롭고 원본 |
홀 TO-220AB을 통한 P-채널 200 Ｖ 6.5A (Tc) 74W (Tc)
|
|
|
|
|
|
|
VS-ETH1506S-M3 필드 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
다이오드 600 Ｖ 15A 표면 부착 TO-263AB (D2PAK)
|
|
|
|
|
|
|
VO0630T 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원본 스톡 |
논리 출력 광절연기 10MBd 개방형 드레인 4000Vrms 2 채널 1kV/μs CMTI 8-SOIC
|
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
N채널 200V 18A(Tc) 125W(Tc) 스루홀 TO-220AB
|
|
|
|
|
|
|
새로운 VS-HFA25TB60PBF와 원종축 |
홀 TO-220AC을 통한 다이오드 600 Ｖ 25A
|
|
|
|
|
|
|
PDTC144ET 칩 다이오드 새롭고 원본 재고 |
사전 바이어스 양극 트랜지스터(BJT)
|
|
|
|
|
|
|
V40150C-E3/4W 현장 효과 트랜지스터 새롭고 원래의 주식 |
다이오드는 홀 TO-220-3을 통하여 1 쌍 공통 캐소드 150 Ｖ 20A를 배치합니다
|
|
|
|
|
|
|
새로운 IRF830BPBF와 원종축 |
홀 TO-220AB을 통한 엔-채널 500 Ｖ 5.3A (Tc) 104W (Tc)
|
|
|
|
|
|
|
새로운 S3D-E3/57T와 원종축 |
다이오드 200 Ｖ 3A 표면 부착 DO-214AB (SMC)
|
|
|
|
|
|
|
새로운 SI3456DDV-T1-GE3과 원종축 |
엔-채널 30 Ｖ 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) 표면 부착 6-tsop
|
|
|
|
|
|
|
새로운 SUP85N03-04P-E3과 원종축 |
엔-채널 30 Ｖ 85A (Tc) 3.75W (Ta), 홀 TO-220AB을 통한 166W (Tc)
|
|
|
|