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키워드 [ multilayer ceramic chip capacitors ] 경기 51 상품.
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | RFQ | |
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T491B106K016AT 캡 SMDB 축전기 ic 탄탈 칩 세라믹 칩 콘덴서 |
10 µF Molded Tantalum Capacitors 16 V 1411 (3528 Metric) 2Ohm
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HD 이더넷 아철산염 유리구슬 / SMD 아철산염 유리구슬 EEE-HD1V470AP 세라믹 칩 콘덴서 |
47 µF 35 V 알루미늄 전해 커패시터 방사형, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C
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높은 컨덕턴스 빠른 다이오드 세라믹 칩 콘덴서 FDLL914 |
다이오드 100V 200mA 표면 실장 SOD-80
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C2012X7S2A224K085AE SMD0805 축전기 ic 탄탈 칩 다층 세라믹 캡 |
0.22µF ±10% 100V 세라믹 커패시터 X7S 0805(2012 미터법)
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CC1206KKX7RDBB102 SMD 칩 축전기 1000pF ±10% 2000V X7R 시리즈 1206년 |
1000pF ±10% 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법)
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무연성 종결과 CC1206JKX7RDBB102 2KV SMD 칩 축전기 캡 세라미드 1000PF X7R CC1206 |
1000pF ±5% 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법)
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ECWU2682V16 SMD 아철산염 유리구슬은 금속으로 경화된 펜 필름 칩 콘덴서를 쌓아 올렸습니다 |
6800 pF Film Capacitor 125V 250V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1913 (4833 Metric)
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C2012X7S2A224K085AE SMD0805 축전기 ic 탄탈 칩 다층 세라믹 캡 |
0.22µF ±10% 100V 세라믹 커패시터 X7S 0805(2012 미터법)
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GRM1885C1H222JA01D 2200pF ±5% 50V 세라믹 콘덴서 C0G NP0 0603 MLCC 장착 |
2200pF ±5% 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법)
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0.1 우프 세라믹 콘덴서, 10V X5R 세라믹 콘덴서 0402 CL05A104KP5NNNC |
0.1 µF ±10% 10V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법)
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의학 장비를 위한 CL05A474KQ5NNNC 0.47uF ±10% 6.3V X5r 세라믹 콘덴서 0402 |
0.47μF ±10% 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법)
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NFM41CC221U2A3L 220PF 관통형 콘덴서 300mA 고압 콘덴서 |
220pF 피드스루 커패시터 100V 300mA 1806(4516 미터법), 3 PC 패드
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장군을 위한 세라믹 콘덴서 SMD 아철산염 유리구슬 C1608X5R1A226MT |
22 우프 ±20% 10V 세라믹 콘덴서 X5R 0603 (1608 측정)
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MH4525HM102NT SMD 아철산염 유리구슬 캡 축전기 삼성전자 IC 칩 |
1 kOhms @ 100 MHz 1 전력선 페라이트 비드 1810(4525 미터법) 3A 60m옴
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GRM188F51C104ZA01D SMD 아철산염 유리구슬 SMD 캡 칩 IC 삼성전자 정류 다이오드 |
0.1 µF -20%, +80% 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법)
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TV 카메라 위의 원래 축전지 C5750Y5V1C107Z 세라믹 콘덴서 |
100 우프 -20%, +80% 16V 세라믹 콘덴서 Y5V (F) 2220 (5750 측정)
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GRM0335C1H8R0BA01D 극소형 GRM 시리즈 / GRM033 (0201개의 칩 사이즈) 이더넷 아철산염 유리구슬 |
8pF ±0.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법)
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NFM18PS105R0J3D SMD 아철산염 유리구슬 축전기 IC 메모리 플래시 칩 |
1 µF 피드 스루 커패시터 6.3V 2 A 30m옴 0603(1608 미터법), 3 PC 패드
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0469005.WR SMD 아철산염 유리구슬 칩 페라이트 비드 표면 부착 퓨즈 |
5 A AC 32 V DC 퓨즈 기판 실장(카트리지형 제외) 표면 실장 1206(3216 미터법)
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GRM32ER61E226KE15L 세라믹 캡, 22uF, 25V, 1210년, X5R SMD 아철산염 유리구슬 (Ｅ 페엠티) GRM188R71H104KA93D |
22µF ±10% 25V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법)
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EEE-FK0J152P SMD 아철산염 유리구슬 알루미늄 전기분해 축전기 |
1500 µF 6.3 V 알루미늄 전해 커패시터 방사형, 캔 - SMD 2000 시간 @ 105°C
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EEE-HC1A221P 알루미늄 전기분해 축전기 / HC 알루미늄 전기분해 축전기 |
220 µF 10 V 알루미늄 전해 커패시터 방사형, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C
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DLW21SN900SQ2L SMD 아철산염 유리구슬 SMD 캡 칩 IC 삼성전자 정류 다이오드 |
2 라인 공통 모드 초크 표면 실장 90옴 @ 100MHz 330mA DCR 350m옴
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TAJC476K016RNJ SMD 아철산염 유리구슬 다용도의 SMT 칩 탄탈 시리즈 |
47 µF Molded Tantalum Capacitors 16 V 2312 (6032 Metric) 500mOhm
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EEE-FC1V221AP SMD 아철산염 유리구슬 알루미늄 전해질 Capacitors/ FC |
220 µF 35 V 알루미늄 전해 커패시터 방사형, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C
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EEE-FK1V220R SMD 아철산염 유리구슬 알루미늄 전해질 Capacitors/ FK |
22 µF 35 V 알루미늄 전해 커패시터 방사형, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C
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EEE-1EA101XP SMD 아철산염 유리구슬 알루미늄 전기분해 축전기 |
100 µF 25 V 알루미늄 전해 커패시터 방사형, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C
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캡 원래 축전기 220uF 16V ECEV1CA221XP SMD 알루미늄 전기분해 축전기 / V-G TV 카메라 |
광선인 220 우프 16 Ｖ 알루미늄 전기분해 축전기가 하 할 수 있습니다 - 85' Ｃ에 있는 SMD 2000 하스
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알루미늄 SMD 전해 커패시터 로에스 지시 순응하는 EEE-FK1E471P |
광선인 470 우프 25 Ｖ 알루미늄 전기분해 축전기가 하 할 수 있습니다 - 105' Ｃ에 있는 SMD 2000 하스
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EEE-FT1A102AP FT 알루미늄 전기분해 축전기는 전해질인 알루미늄 탑재를 포장합니다 |
1000 µF 10 V 알루미늄 전해 커패시터 방사형, 캔 - SMD 80m옴 @ 100kHz 2000 시간 @ 105°C
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EEV-FK1V101P SMD 아철산염 유리구슬 알루미늄 전기분해 축전기 / FK 시리즈 |
광선인 100 우프 35 Ｖ 알루미늄 전기분해 축전기가 하 할 수 있습니다 - 105' Ｃ에 있는 SMD 2000 하스
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알루미늄 전기분해 축전기 / TK 표면 부착 SMD 아철산염 유리구슬 EEE-TK1A331UP |
330 µF 10 V 알루미늄 전해 커패시터 방사형, 캔 - SMD 300m옴 @ 100kHz 3000 시간 @ 125°C
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EMIFIL (유도자형) 칩 페라이트 비드 BLM18P 시리즈 0603 크기 BLM18PG121SN1D |
100 마하즈 1 전원 라인 아철산염 유리구슬 0603 (1608 측정) 2A 50mOhm에 있는 120 오옴
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SMD 아철산염 유리구슬 알루미늄 일레이텍트로리틱 축전기 / 프크 Eeefk1h151p |
광선인 150 우프 50 Ｖ 알루미늄 전기분해 축전기가 하 할 수 있습니다 - 105' Ｃ에 있는 SMD 2000 하스
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TPS51916EVM-746 완료 DDR2 DDR3 DDR3L과 DDR4 기억력 해결책 동기식 벅 GRM32ER60J107ME20L |
TPS51916 D-CAPTM, D-CAP2TM 특수 목적 DC / DC, DDR 추억 공급 1, 비고립형 출력 평가 보드
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LP2983AIM5-1.0 SMD 아철산염 유리구슬 마이크로파워 전압 조절기 |
선형 전압 조정기 IC 포지티브 고정 1 출력 150mA SOT-23-5
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FM25V02-GTR SMD 아철산염 유리구슬 256Kb 일련 3V F-RAM 메모리 lg 텔레비전 ic 가격 ic la4440 |
프람 (강유전체 RAM) 메모리용 IC 256Kbit SPI 40 마하즈 8-soic
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EEE-FK1E101XP SMD 아철산염 유리구슬 표면 부착 알루미늄 전해 캡. |
100 µF 25 V 알루미늄 전해 커패시터 방사형, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C
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탑승해 있는 BLM21AG601SN1D SMD 아철산염 유리구슬은 (DC) EMI 억제 필터 TV 카메라를 타이핑합니다 |
100 마하즈 1 아철산염 유리구슬 0805 (2012 측정) 600mA 210mOhm에 있는 600 오옴
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재료를 격리하는 광선 납을 첨가한 큐어드, 난연제 에폭시 폴리머는 UL 94V-0 요구조건을 충족시킵니다 60R090XU |
홀 광선의, 디스크를 통한 중합 PTC 리셋 가능 퓨즈 60V 900 마 Ih
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SRN4018-150M SMD 아철산염 유리구슬 저자세 파워 인덕터들 |
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SRN4018-150M SMD 아철산염 유리구슬 저자세 파워 인덕터들 |
15 µH Semi-Shielded Drum Core, Wirewound Inductor 1 A 264mOhm Max Nonstandard
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DR73-100-R 고출력 밀도, 고효율 차폐 인덕터들 |
10 µH Shielded Drum Core, Wirewound Inductor 2.08 A 65.6mOhm Nonstandard
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LPS3015 SMD 아철산염 유리구슬 LPS3015-332MRC 보호해야 하는 파워 인덕터들 |
3.3 우에 차폐 인덕터 1.4 130mOhm이 비정상을 최대한으로 씁니다
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표면 부착 SMD 아철산염 유리구슬 SS1H10-E3/61T 고전압 쇼트키 정류기 |
다이오드 100 Ｖ 1A 표면 부착 DO-214AC (SMA)
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증가 모드 페엠티 기술 SMD 아철산염 유리구슬 (Ｅ 페엠티) GRM188R71H104KA93D |
0.1 우프 ±10% 50V 세라믹 콘덴서 X7R 0603 (1608 측정)
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TXD2SA-5V 릴레이 통신 (XDSL) 3000 V 연결 및 코일 사이의 고장 전압 |
범용 계전기 DPDT (2 형식 Ｃ) 표면 부착
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30R250UU POLYFUSE® 재설정 가능한 PTC 통합 반도체 회로판 실리콘 회로판 |
고분자 PTC 재설정 가능 퓨즈 30V 2.5A Ih 스루홀 방사형, 디스크
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RXEF185 SMD 아철산염 유리구슬 폴리스위치 리셋가능 기기 전자 ICs |
고분자 PTC 재설정 가능 퓨즈 72V 1.85 A Ih 스루홀 방사형, 디스크
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CRCW2010330RJNEF SMD2010 축전기 ic 탄탈 칩 다층 세라믹 캡 |
330 Ohms ±5% 0.75W, 3/4W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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