FM24CL04B-GTR 4 - Kbit 비휘발성 기억 장치, 프람 시리얼 플래시 메모리 빠른 I2C 인터페이스
제조 업체:
제조업자
기술:
프람 (강유전체 RAM) 메모리용 IC 4Kbit I2C 1 마하즈 550 나노 초 8 SOIC
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 서쪽 Union,PayPal
상술
시리즈:
FM24CL04B
전압:
2.7 3.65 Ｖ에 대한 Ｖ
특징:
저 전력 소모
기억장치 용량:
4 킬로바 (512 x 8)
애플리케이션:
LCD는 모니터링하고 패널 텔레비전, 프린터, GPS, MP3을 평탄화합니다
패키지:
SOIC8
클럭 주파수:
1-MHz 주파수
인터페이스:
빨리 2번 와이어 직렬 접속 (I2C)
하이라이트:
serial flash memory
,serial flash chip
도입
FM24CL04B-GTR 플래시 메모리 칩 4Kbit 빠른 2 와이어 직렬 접속 일련 프람 플래시
기술
FM24CL04B는 진보적 강유전성 절차를 사용하는 4-kbit 비휘발성 메모리입니다. 임의 엑세스 메모리 또는 F-RAM이 불휘발성입니다 그리고 수행하세요 강유전성은 읽고, RAM과 유사하여서 씁니다. 복잡성, 오버헤드를 제거하는 동안 그것은 151년간 안정적 데이터 보유를 제공하고 시스템 수준 신뢰성 문제가 EEPROM과 다른 비휘발성 메모리에 의해 발생되었습니다. EEPROM과는 달리, FM24CL04B는 기록 작업을 버스 속도에서 수행합니다. 어떤 쓰기 지연도 초래되지 않습니다. 데이터는 각각 바이트가 성공적으로 기기로 옮겨지는 후에 바로 메모리 어레이에 작성됩니다. 다음 버스 주기는 데이터 폴링이 필요없이 시작될 수 있습니다. 게다가 제품은 다른 비휘발성 메모리와 비교해서 상당한 기입 내구성을 제공합니다. 기록 작업 이후 EEPROM이 내부로 고상한 전력이 기입 회로를 위해 전압에게 공급할 것을 요구하지 않는 것보다 더 낮강화한 또한, 많은 F-RAM 전시품은 씁니다. FM24CL04B는 1014가지 읽기 / 기입 사이클을 지원할 수 있거나 1억 번 이상이 EEPROM 보다 사이클을 작성합니다. 이러한 능력이 FM24CL04B를 비휘발성 기억 장치 응용에 이상적이게 한다고, 빈번하거나 빨라서 요구하는 것 씁니다. 예는 EEPROM의 긴 쓰기 시간이 데이터 손실을 일으킬 수 있는 산업 제어를 요구하는 것에게, 기입 사이클의 수가 비판적일 수 있는 데이터 로깅에 이릅니다. 기능의 조합은 시스템을 위해 덜 머리위인 것과 함께 쓰는 더 빈번한 데이터를 허락합니다. FM24CL04B는 하드웨어 drop-in 치환계로서 (I2C) EEPROM을 상당한 이익을 일련이 사용자들에게 제공합니다. 장비 명세는 -40 Ｃ에서 +85 Ｃ의 산업용 온드범위 위에서 보증됩니다.
특징
■ 강유전성인 4-kbit은 논리적으로 액세스 메모리 (F-RAM)를 산개합니다
512 × 8으로서 조직화됩니다
고내구성 100조 (1014년) 읽기 /는 씁니다
151년 데이터 유지는 (데이터 유지와 내구성을 봅니다
페이지에 10)
노딜레이티엠은 씁니다
진보적 높은 신뢰도 강유전성 절차
■ 빨리 2는 직렬 인터페이스 (I2C)를 배선합니다
1-MHz 주파수까지
일련인 것을 하드웨어 교체를 지시합니다 (I2C) EEPROM
100 킬로 헤르츠와 400 킬로 헤르츠를 위한 유산 타이밍을 지원합니다
■ 저 전력 소모
100 킬로 헤르츠에 있는 유효 전류
(typ) 대기 전류
■ 전압 작동 : 3.65 Ｖ에 대한 VDD = 2.7 Ｖ
■ 산업적 온도 : –40 C to +85 C
■ 8 핀 스몰 아웃라인 집적 회로 (SOIC) 패키지
순응한 법정의 유해 물질 (RoHS)의 ■ 제한
■ 강유전성인 4-kbit은 논리적으로 액세스 메모리 (F-RAM)를 산개합니다
512 × 8으로서 조직화됩니다
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151년 데이터 유지는 (데이터 유지와 내구성을 봅니다
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■ 8 핀 스몰 아웃라인 집적 회로 (SOIC) 패키지
순응한 법정의 유해 물질 (RoHS)의 ■ 제한
애플리케이션
산업적, 소통과 네트워킹
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