BZW50-39BRL 180V 트렌스일 과도 전압 서지 억제기 텔레비전 5000W
제조 업체:
스트미크로일렉트로닉스
기술:
90V 클램프 667A(8/20μs) Ipp TVs 다이오드 스루홀 R-6
범주:
전자적 IC 칩
가격:
To be negotiated
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
PN:
BZW50-39BRL
브랜드:
거리
원형:
미국
종류:
과도 전압 서지 억제기 (TVS)
힘:
5000 Ｗ
전압:
180V에 대한 10 Ｖ
하이라이트:
Transil Transient Voltage Surge Suppressor
,180V Transient Voltage Surge Suppressor
,5000W TVS Suppressor
도입
BZW50-39BRL트랜실 트랜시언트 전압 급증 억제기 (TVS)
특징
■피크 펄스 전력: 5000 W (10/1000 μs)
■스탠드오프 전압 범위 10V에서 180V
■일방향 및 양방향 유형
■저축 요인
■빠른 반응 시간
■UL497B, 파일 번호: QVGQ2.E136224
설명
트랜실 다이오드 는 높은 과전압 에 대한 보호 를 제공한다
그들의 즉각적인 반응은
과도한 과전압으로 인해 특히
용압에 민감한 장치를 보호하기 위해 적합합니다.
MOS 기술과 저전압 공급 IC.
패키지 정보
● 에포시 는 UL94, V0 에 해당 합니다
● 납 없는 패키지
환경 요구사항을 충족시키기 위해 ST는 이러한 장치를
환경 준수 수준에 따라 ECOPACK® 패키지
ECOPACK® 사양, 품질 정의 및 제품 상태는 www.st.com에서 사용할 수 있습니다.
ECOPACK®는 ST의 상표입니다.
관련 상품
2SD1899 NPN PNP 트랜지스터 실리콘 재료 낮은 컬렉터 포화 전압
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
P6KE440ARL 15kV 600W 과도 전압 서지 억제기 DO-15
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
220AB 고성능에 대한 홀을 통한 D45H8 NPN PNP 트랜지스터 60V 10A 50W
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
TIP42C 양극성 NPN PNP 트랜지스터 100V 6A 현재 65W 전기 HFE 그룹화
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
SM6T15CAY 텔레비전 과도 전압 억제 소자 표면 부착
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
2N7002 칩 다이오드 새롭고 원본 주식
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 새롭고 원래의 주식
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 새고 원본식품
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 새롭고 원본식품
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 신규 및 기존 재고
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
|---|---|---|---|
|
|
2SD1899 NPN PNP 트랜지스터 실리콘 재료 낮은 컬렉터 포화 전압 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
P6KE440ARL 15kV 600W 과도 전압 서지 억제기 DO-15 |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
|
|
|
|
220AB 고성능에 대한 홀을 통한 D45H8 NPN PNP 트랜지스터 60V 10A 50W |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
TIP42C 양극성 NPN PNP 트랜지스터 100V 6A 현재 65W 전기 HFE 그룹화 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
SM6T15CAY 텔레비전 과도 전압 억제 소자 표면 부착 |
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
|
|
|
|
2N7002 칩 다이오드 새롭고 원본 주식 |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
|
|
|
|
BCP52-16 새롭고 원래의 주식 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
STW45NM60 새고 원본식품 |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
STP110N8F6 새롭고 원본식품 |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
|
|
|
|
STP110N7F6 신규 및 기존 재고 |
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ:
10pcs