2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
상술
컬렉터베이스 전압:
-60V
컬렉터-이미터 전압:
-60V
이미터 베이스 전압:
-7V
연속적인 컬렉터전류:
-3A
컬렉터 전력 손실 @TC=25C:
10W
접합 온도:
150C
저장 온도:
-55~150C
패키지:
TO126
하이라이트:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
도입
2SB1261 일반용 직렬 다이오드 PNP 실리콘 에피타시얼 트랜지스터
설명
·저전도 수집기 포화 전압
·고전력 분산: PC=10W (최대) @TC=25°C
·타입 2SD1899-K의 보완
응용 프로그램
응용 프로그램
·오디오 증폭기 및 스위치, 특히 하이브리드 통합 회로에서 사용하도록 설계되었습니다.
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