Lincmose 프로그래밍 가능 저전력 연산 증폭기 TLC271CDR
electronics ic chip
,integrated circuit components
LinCMOSTM프로그래밍 가능한 저전력 연산 증폭기
*입력 오프셋 전압 드리프트 ...일반적으로
0.1µV/월, 처음 30일 포함
* 광범위한 공급 전압 이상
지정된 온도 범위:
0°C ~ 70°C...3V ~ 16V
–40°C ~ 85°C...4V ~ 16V
–55°C ~ 125°C ...5V ~ 16V
*단일 공급 작동
*공통 모드 입력 전압 범위
네거티브 레일 아래로 확장(C-접미사 및
I 접미사 유형)
*작은 소음 ...일반적으로 25nV/√Hz
f = 1kHz(하이 바이어스 모드)
*출력 전압 범위에는 네거티브 레일이 포함됩니다.
*높은 입력 임피던스...1012Ω 일반
*ESD 보호 회로
*소형 패키지 옵션도 사용 가능
테이프 및 릴
*설계된 래치업 면역
설명
TLC271 연산 증폭기는 광범위한 입력 오프셋 전압 등급을 낮은 오프셋 전압 드리프트 및 높은 입력 임피던스와 결합합니다.또한 TLC271은 바이어스 선택 모드를 제공하여 사용자가 특정 애플리케이션에 대한 전력 소모와 ac 성능의 최상의 조합을 선택할 수 있도록 합니다.이 장치는 Texas Instruments 실리콘 게이트 LinCMOS를 사용합니다.TM기존의 금속 게이트 공정에서 사용할 수 있는 안정성을 훨씬 능가하는 오프셋 전압 안정성을 제공하는 기술입니다.
장치 기능
매개변수† | 바이어스 선택 모드 | 단위 | ||
높은 | 중간 | 낮은 | ||
피디 | 3375 | 525 | 50 | µW |
SR | 3.6 | 0.4 | 0.03 | V/µs |
VN | 25 | 32 | 68 | nV/√Hz |
비1 | 1.7 | 0.5 | 0.09 | 메가헤르츠 |
ㅏVD | 23 | 170 | 480 | V/mV |
†V에서 일반DD= 5V, 티ㅏ= 25°C
등가 회로도
작동 대기 온도에 대한 절대 최대 정격
(달리 명시되지 않는 한)†
공급 전압, VDD(참고 1 참조) ...................................................18V
차동 입력 전압, VID(참고 2 참조) .......................................... ..±VDD
입력 전압 범위, V나(모든 입력) ...........................................– 0.3V ~ VDD
입력 전류, 나나.................................................................±5mA
출력 전류, 나는영형..............................................................±30mA
25°C(또는 그 이하)에서 단락 전류 지속 시간(주 3 참조) ...... ....................제한 없는
연속 총 소실 .....................................손실 등급 표 참조
작동 대기 온도, Tㅏ: C 접미사 ......................................0°C ~ 70°C
나는 접미사 ....................................– 40°C ~ 85°C
M 접미사 ...................................– 55°C ~ 125°C
보관 온도 범위 ...............................................– 65°C ~ 150°C
케이스 온도 60초: FK 패키지 .......................................260°C
케이스에서 10초 동안 리드 온도 1.6mm(1/16인치): D 또는 P 패키지 ..............260°C
케이스에서 60초 동안 리드 온도 1.6mm(1/16인치): JG 패키지 .................300°C
† "절대 최대 정격"에 나열된 것 이상의 스트레스는 장치에 영구적인 손상을 줄 수 있습니다.이는 스트레스 등급일 뿐이며 이러한 조건 또는 "권장 작동 조건"에 표시된 조건을 초과하는 다른 조건에서 장치의 기능적 작동은 암시되지 않습니다.장시간 절대 최대 정격 조건에 노출되면 장치 신뢰성에 영향을 미칠 수 있습니다.
참고: 1. 차동 전압을 제외한 모든 전압 값은 네트워크 접지를 기준으로 합니다.
2. 차동 전압은 IN-에 대해 IN+에 있습니다.
3. 출력이 두 공급 장치 중 하나로 단락될 수 있습니다.온도 및/또는 공급 전압은 다음을 보장하기 위해 제한되어야 합니다.
최대 손실 정격을 초과하지 않도록 합니다(응용 섹션 참조).
방열 등급표
패키지 |
티ㅏ≤ 25°C 전력 등급 |
경감 요인 위 Tㅏ= 25°C |
티ㅏ= 70°C 전력 등급 |
티ㅏ= 85°C 전력 등급 |
티ㅏ= 125°C 전력 등급 |
디 | 725mW | 5.8mW/°C | 464mW | 377mW | 145mW |
FK | 1375mW | 11.0mW/°C | 880mW | 715mW | 275mW |
JG | 1050mW | 8.4mW/°C | 672mW | 546mW | 210mW |
피 | 1000mW | 8.0mW/°C | 640mW | 520mW | 200mW |
권장 작동 조건
C 접미사 | 나는 접미사 | M 접미사 | 단위 | ||
최소 최대 | 최소 최대 | 최소 최대 | |||
공급 전압, VDD | 3 16 | 4 16 | 5 16 | V | |
공통 모드 입력 전압 VIC |
VDD= 5V | -0.2 3.5 | -0.2 3.5 | 0 3.5 | V |
VDD= 10V | -0.2 8.5 | -0.2 8.5 | 0 8.5 | ||
작동 대기 온도, Tㅏ | 0 70 | –40 85 | -55125 | °C |
LMC6482IMX/NOPB Cmos 듀얼 레일 투 레일 입출력 작동중인 증폭기 IC
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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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LMC6482IMX/NOPB Cmos 듀얼 레일 투 레일 입출력 작동중인 증폭기 IC |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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새로운 DRV602PWR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
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OPA335AIDR 전자 IC 칩 단일 공급 CMOS 운영 증폭기 |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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OPA4228UA 다용도읜 증폭기 4 회로 14 SOIC 11 V/uS 슬루율 |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
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TL082CP 집적 회로 칩주페트 입력 연산 증폭기 높은 비틀림 비율 |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
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Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
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J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
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General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
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