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하프 브리지 게이트 드라이버 직접 회로 칩 IC IR21141SSPBF

제조 업체:
인피네온
기술:
하프-브리지 게이트 드라이버 IC 비반전 24-ssop
범주:
표시 구동 집적 회로
가격:
negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
VOFFSET:
600 V 또는 1200 V는 한계에 이릅니다.
Io+/- (분):
1.0 / 1.5 A
출력전압:
10.4 V - 20 V
데드타임 정합 (최대):
75 나노 초
데드타임 (typ):
330 나노 초
데스아트 공백 시간 (typ):
3 우리
하이라이트:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

도입

특징

 

• 최대 600V 또는 1200V의 플로팅 채널

• 소프트 과전류 차단

• 종료를 다른 단계와 동기화하기 위한 동기화 신호

• 통합 불포화 감지 회로

• di/dt 제어를 위한 2단계 턴온 출력패키지

• 별도의 풀업/풀다운 출력 드라이브 핀

• 일치하는 지연 출력

• 히스테리시스 밴드가 있는 저전압 차단

• 무연

 

설명

 

IR21141/IR22141 게이트 드라이버 제품군은 단일 하프 브리지를 구동하는 데 적합합니다.

전원 스위칭 애플리케이션에서.이 드라이버는 높은 게이트 구동을 제공합니다.

기능(2A 소스, 3A 싱크)이 있고 낮은 정동작 전류가 필요합니다.

중전력에서 부트스트랩 전원 공급 기술을 사용할 수 있습니다.

시스템.이 드라이버는 전원을 통한 완벽한 단락 보호 기능을 제공합니다.

트랜지스터 불포화 감지 및 다음을 통해 모든 하프 브리지 오류 관리

전용 소프트를 통해 불포화 트랜지스터를 부드럽게 끄기

셧다운 핀, 따라서 과전압을 방지하고 감소

전자기 방출.다상 시스템에서 IR21141/IR22141

드라이버는 전용 로컬 네트워크(SY_FLT 및

FAULT/SD 신호) 위상 간 단락을 적절하게 관리합니다.그만큼

시스템 컨트롤러는 강제로 종료하거나 장치 오류 상태를 읽을 수 있습니다.

3.3V 호환 CMOS I/O 핀(FAULT/SD).신호 내성을 향상시키기 위해

DC 버스 노이즈로부터 제어 및 전원 접지는 전용 핀을 사용합니다.

로우 사이드 이미터 전류 감지도 가능하게 합니다.저전압 조건

부동 및 저전압 회로는 독립적으로 관리됩니다.

 

 

일반적인 연결

 

 

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MOQ:
10pcs