AT29C040A-90PI 직접 회로 칩 힘 ic 칩 플래시 메모리 ic
electronics ic chip
,integrated circuit ic
4메가비트(512K x 8) 5볼트 전용 256바이트 섹터 플래시 메모리 AT29C040A
특징
• 빠른 읽기 액세스 시간 – 90ns
• 5볼트 전용 재프로그래밍
• 부문 프로그램 운영
– 단일 주기 재프로그래밍(삭제 및 프로그래밍)
– 2048 섹터(256바이트/섹터)
– 256바이트용 내부 주소 및 데이터 래치
• 내부 프로그램 제어 및 타이머
• 하드웨어 및 소프트웨어 데이터 보호
• 잠금 기능이 있는 16K 바이트 부트 블록 2개
• 고속 섹터 프로그램 주기 시간 – 10ms
• 프로그램 종료 감지를 위한 DATA 폴링
• 저전력 소비
– 40mA 활성 전류
– 100µA CMOS 대기 전류
• 일반 내구성 > 10,000 사이클
• 단일 5V ± 10% 공급
• CMOS 및 TTL 호환 입력 및 출력
설명
AT29C040A는 5볼트 전용 시스템 내 플래시 프로그램 가능 및 소거 가능 읽기 전용 메모리(PEROM)입니다.4메가비트 메모리는 524,288워드 x 8비트로 구성됩니다.Atmel의 고급 비휘발성 CMOS EEPROM 기술로 제조된 이 장치는 최대 90ns의 액세스 시간과 220mW의 낮은 전력 손실을 제공합니다.장치를 선택 해제하면 CMOS 대기 전류가 100µA 미만입니다.장치 내구성은 모든 섹터가 일반적으로 10,000회를 초과하여 기록될 수 있는 정도입니다.프로그래밍 알고리즘은 Atmel의 5볼트 전용 플래시 제품군의 다른 장치와 호환됩니다.
간단한 시스템 내 재프로그래밍을 허용하기 위해 AT29C040A는 프로그래밍을 위해 높은 입력 전압이 필요하지 않습니다.5볼트 전용 명령이 장치의 작동을 결정합니다.장치에서 데이터를 읽는 것은 EPROM에서 읽는 것과 유사합니다.AT29C040A 재프로그래밍은 섹터 단위로 수행됩니다.256바이트의 데이터가 장치에 로드된 다음 동시에 프로그래밍됩니다.
재프로그래밍 주기 동안 주소 위치와 256바이트의 데이터가 내부적으로 래치되어 다른 작업을 위해 주소와 데이터 버스를 비웁니다.프로그램 주기가 시작된 후 장치는 섹터를 자동으로 지운 다음 내부 제어 타이머를 사용하여 래치된 데이터를 프로그래밍합니다.프로그램 주기의 끝은 I/O7의 DATA 폴링으로 감지할 수 있습니다.프로그램 주기의 끝이 감지되면 읽기 또는 프로그램에 대한 새로운 액세스를 시작할 수 있습니다.
절대 최대 등급*
바이어스 하의 온도........................................... -55°C ~ +125°C
보관 온도 .................................................. -65°C ~ +150°C
모든 입력 전압(NC 핀 포함)
접지와 관련하여 ..................................-0.6V ~ +6.25V
모든 출력 전압
접지와 관련하여 ..................................-0.6V ~ VCC + 0.6V
OE의 전압
접지와 관련하여 ..................................-0.6V ~ +13.5V
*참고: "절대 최대 정격"에 나열된 것 이상의 스트레스는 장치에 영구적인 손상을 초래할 수 있습니다.이것은 스트레스 등급일 뿐이며 이러한 조건 또는 이 사양의 작동 섹션에 표시된 조건을 넘어서는 다른 조건에서 장치의 기능적 작동은 암시되지 않습니다.장시간 동안 절대 최대 정격 조건에 노출되면 장치 안정성에 영향을 미칠 수 있습니다.
재고 제안(뜨거운 판매)
부품 번호 | 수량 | 상표 | DC | 패키지 |
MOCD208M | 5651 | 페어차일드 | 11+ | 예규 |
NQ6700PXH SL7N2 | 3680 | 인텔 | 15+ | BGA |
XRT83SL28IV-F | 1000 | 엑사르 | 09+ | TQFP144 |
MAX6951CEE+ | 6089 | 격언 | 16세 이상 | SSOP |
MAX6675ISA+ | 5235 | 격언 | 14세 이상 | 예규 |
LM27313XMFX | 3000 | NSC | 13+ | SOT-23-5 |
MAX211IDBR | 3797 | 격언 | 14세 이상 | SSOP |
BLF878 | 166 | 12+ | 고주파 튜브 | |
LMH0040SQE | 2243 | TI | 14세 이상 | LLP |
CY22394FC | 2542 | 사이프러스 | 04+ | TSSOP16 |
PIC18F67J60-I/PT | 4283 | 마이크로칩 | 14세 이상 | QFP |
LMH1981MTX | 1683년 | NSC | 14세 이상 | TSSOP-14 |
MC1408-8N | 3194 | PHI | 16세 이상 | 담그다 |
LT1014DSW | 5254 | LT | 15+ | SOP-16 |
MBR120LSFT1G | 40000 | 에 | 16세 이상 | 잔디 |
MC14536BDWR2G | 6563 | 에 | 16세 이상 | 예규 |
LT5400BCMS8E-4#PBF | 4130 | 선의 | 16세 이상 | MSOP |
MC4741CD | 3556 | 경구 | 16세 이상 | 예규 |
PIC10F322T-I/OT | 9250 | 마이크로칩 | 16세 이상 | 술고래 |
MC14584BDR2G | 10000 | 에 | 16세 이상 | 예규 |
LT1014DSW#TRPBF | 8146 | LT | 14세 이상 | SOP-16 |
MC145152DW2 | 5186 | 프리스케일 | 15+ | 예규 |
MC78M05CDTX | 10000 | 파이 | 16세 이상 | SOT-252 |
MBM29F040C-90PD-SFL | 14690 | 후지쯔 | 16세 이상 | PLCC |
L6563TR | 3752 | 성 | 15+ | SOP14 |
MUR1560G | 7604 | 에 | 16세 이상 | TO-220 |
MUR840G | 7300 | 에 | 16세 이상 | TO-220 |
MMSZ4682T1G | 25000 | 에 | 16세 이상 | SOD-123 |
MC68HC908QY4ACDWE | 3820 | 프리스케일 | 16세 이상 | SOIC |
MB8431-90LPFQ | 3226 | 후지산 | 16세 이상 | QFP |
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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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새로운 AT25128AN-10SI-2.7 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM Memory IC 128Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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새로운 AT25160A-10TI-2.7 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM Memory IC 16Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
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새로운 AT24C64BN-10SU-2.7 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-SOIC
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새로운 AT25020AY1-10YI-1.8 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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새로운 AT25040AY1-10YI-1.8 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM Memory IC 4Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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새로운 AT25010AN-10SU-1.8 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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새로운 AT25020AY1-10YI-2.7 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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24LC64-I/P 텔레비전 메모리용 IC 64Kb ( 8K X 8 ) I2C 400kHz 900 나노 초 8 PDIP Eeprom 플래쉬 메모리 |
EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-PDIP
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EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 3 MHz 8-SOIC
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