AT28C64B-15PU 프로그래머블 IC 칩 전자 부품
programming ic chips
,programmable audio chip
페이지 쓰기 및 소프트웨어 데이터 보호 기능이 있는 64K(8K x 8) 병렬 EEPROM AT28C64B
특징
• 빠른 읽기 액세스 시간 – 150ns
• 자동 페이지 쓰기 작업
– 64바이트용 내부 주소 및 데이터 래치
• 빠른 쓰기 주기 시간
– 페이지 쓰기 주기 시간: 최대 10ms(표준)
최대 2ms(옵션 - AT28HC64BF 데이터시트 참조)
– 1 ~ 64바이트 페이지 쓰기 작업
• 저전력 소비
– 40mA 활성 전류
– 100µA CMOS 대기 전류
• 하드웨어 및 소프트웨어 데이터 보호
• 쓰기 종료 감지를 위한 DATA 폴링 및 토글 비트
• 고신뢰성 CMOS 기술
– 내구성: 100,000 사이클
– 데이터 보존: 10년
• 단일 5V ±10% 공급
• CMOS 및 TTL 호환 입력 및 출력
• JEDEC 승인 바이트 전체 핀아웃
• 산업 온도 범위
• 친환경(Pb/무할로겐화물) 패키징 옵션
1. 설명
AT28C64B는 고성능 EEPROM(Electrically-Erasable and Programmable Read Only Memory)입니다.64K 메모리는 8,192워드 x 8비트로 구성됩니다.Atmel의 고급 비휘발성 CMOS 기술로 제조된 이 장치는 220mW의 전력 소모로 150ns의 액세스 시간을 제공합니다.장치를 선택 해제하면 CMOS 대기 전류가 100µA 미만입니다.
AT28C64B는 외부 구성 요소 없이 읽기 또는 쓰기 주기를 위해 정적 RAM처럼 액세스됩니다.이 장치에는 최대 64바이트를 동시에 쓸 수 있는 64바이트 페이지 레지스터가 포함되어 있습니다.쓰기 주기 동안 주소와 1~64바이트의 데이터는 내부적으로 래치되어 다른 작업을 위해 주소와 데이터 버스를 비웁니다.쓰기 주기가 시작된 후 장치는 내부 제어 타이머를 사용하여 래치된 데이터를 자동으로 씁니다.쓰기 주기의 끝은 I/O7의 DATA POLLING에 의해 감지될 수 있습니다.쓰기 주기의 끝이 감지되면 읽기 또는 쓰기를 위한 새로운 액세스가 시작될 수 있습니다.
Atmel의 AT28C64B에는 고품질과 제조 가능성을 보장하는 추가 기능이 있습니다.장치는 확장된 내구성과 향상된 데이터 보존 특성을 위해 내부 오류 수정을 활용합니다.선택적 소프트웨어 데이터 보호 메커니즘을 사용하여 우발적인 쓰기를 방지할 수 있습니다.이 장치에는 장치 식별 또는 추적을 위한 추가 64바이트 EEPROM도 포함되어 있습니다.
2. 핀 구성
| 핀 이름 | 기능 |
| A0 - A12 | 구애 |
| CE | 칩 인에이블 |
| OE | 출력 활성화 |
| 우리 | 쓰기 활성화 |
| I/O0 - I/O7 | 데이터 입력/출력 |
| 체크 안함 | 연결 안 됨 |
| DC | 연결하지 않음 |
2.1 28리드 PDIP, 28리드 SOIC 평면도
2.2 32리드 PLCC 평면도
참고: PLCC 패키지 핀 1과 17은 Don't Connect입니다.
2.3 28리드 TSOP 평면도
3. 블록 다이어그램
4. 절대 최대 정격*
바이어스 하의 온도........................................... -55°C ~ +125°C
보관 온도 .................................................. -65°C ~ +150°C
모든 입력 전압
(NC 핀 포함)
접지와 관련하여 ..................................-0.6V ~ +6.25V
모든 출력 전압
접지와 관련하여 ..................................-0.6V ~ VCC + 0.6V
OE 및 A9의 전압
접지와 관련하여 ..................................-0.6V ~ +13.5V
*참고: "절대 최대 정격"에 나열된 것 이상의 스트레스는 장치에 영구적인 손상을 초래할 수 있습니다.이것은 스트레스 등급일 뿐이며 이러한 조건 또는 이 사양의 작동 섹션에 표시된 조건을 넘어서는 다른 조건에서 장치의 기능적 작동은 암시되지 않습니다.장시간 동안 절대 최대 정격 조건에 노출되면 장치 안정성에 영향을 미칠 수 있습니다.
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| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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새로운 AT25128AN-10SI-2.7 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM Memory IC 128Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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새로운 AT25160A-10TI-2.7 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM Memory IC 16Kbit SPI 20 MHz 8-TSSOP
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EEPROM Memory IC 64Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-SOIC
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EEPROM Memory IC 2Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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EEPROM Memory IC 4Kbit SPI 20 MHz 8-MAP (3x4.9)
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EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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