STK621-033N-E Mosfet 전력 모듈 하이브리드 인버터 회로 SIP은 매우 만들었습니다
thyristor diode module
,hybrid inverter circuit
매우 성형된 STK621-220A Mosfet 전력 모듈 하이브리드 인버터 회로 SIP
STK621-220A 인버터 전력 혼합 모듈
SIP 가득 찬 몰딩된 패키지
개관
이 IC은 파워 요소 (IGBT와 FRD), 프리 드라이버, 과전류와 초과 온도 보호 회로를 포함하는 3 위상 반전기 파워 하이브리드 IC입니다.
애플리케이션
오우 3 단계 인버터 구동
특징
오우는 파워 요소 (IGBT와 FRD)와 프리 드라이버와 보호 회로를 통합합니다.
과전류 (버스 라인), 초과 온도와 전치 구동 저압 보호를 포함하는 오우 보호 회로는 안에 구축됩니다.
오우는 절연 회로 (포토커플러, 기타 등등) 없는 CMOS 레벨 제어 신호의 입력이 가능하게 지시합니다.
오우 단일 전원공급장치 드라이브는 짜맞춘 IC과 부트스트랩 회로를 이용하여 가능합니다
오우 온도 모니터는 IC 안에서 서미스터에 의해 가능합니다
상부 및 하부 측면 트랜지스터를 위한 동시 ON 입력을 통하여 팔 숏팅을 방지하기 위한 오우 짜맞춘 동시 상부 / 더 낮은 ON 방지 회로. (데드 타임은 스위칭 지연으로 인해 숏팅을 방지해서 요구됩니다.)
열전달 가득 찬 몰드 구조의 오우 SIP (싱글 인라인 패키지).
절대적인 상술
Tc = 25' Ｃ에 있는 최대 정격
| 매개 변수 | 기호 | 상태 | 평가 | 유닛 |
| 공급 전압 | 프크크 | + - -, 상승 < 500V=""> | 450 | Ｖ |
| 컬렉터-이미터 전압 | 프스 | + - Ｕ (V, W) 또는 Ｕ (V, W) | 600 | Ｖ |
| 출력 전류 | Io | +, -, Ｗ 단자 전류인 Ｕ, Ｖ | ±30 | A |
| 출력 피크 값 경향 | 늘어지세요 | +, -, Ｗ 단자 전류 PW = 100μs인 Ｕ, Ｖ | ±45 | A |
| 프리 드라이버 공급 전압 | VD1,2,3,4 | VB1 - Ｕ, VB2 - Ｖ, VB3 - Ｗ, VDD - 버젼 | 20 | Ｖ |
| 입력 신호 전압 | Vin | HIN1, 2, 3, LIN1, 2, 3 단말기 | 0 내지 7 | Ｖ |
| 결점 단자 전압 | VFAULT | 결점 단말기 | 20 | Ｖ |
| 최대 손실 | Pd | 1개 채널마다 | 49 | Ｗ |
| 접합 온도 | 트제이 | FRD 접합 온도인 IGBT | 150 | 'Ｃ |
| 저장 온도 | 트스트그 | +125에 대한 -40 | 'Ｃ | |
| 작동 온도 | Tc | H-IC 케이스 온도 | +100에 대한 -20 | 'Ｃ |
| 조임 토크 | 사용 M4 유형 스크루에 있는 나사부 | 1.17 | N-엠 | |
| 내전압 | Vis | 50Hz 사인파는 AC에게 1 분을 인사합니다 | 2000 | 브르엠에스 |
교육 없는 경우에, 전압표준은 있습니다 - 단말기 = VSS 단자 전압. *1 서지 전압은 +와 -단말기 사이에 배선 인덕턴스로 인해 스위칭 동작에 의해 발달했습니다. *2 VD1 = 사이에 VB1-U, VD2 = VB2-V, VD3 = VB3-W, VB4 = VDD-VSS, 단자 전압. *3 감열의 평탄성은 0.25 밀리미터 보다 낮아야 합니다. *4 시험 조건은 AC 2500V, 1/2입니다.
기록
1. 입력 온 전압은 출력단 IGBT를 켜기 위해 가치를 보여줍니다. 입력 오프 전압은 출력단 IGBT를 끄기 위해 가치를 보여줍니다. 출력 ON의 시간에 입력 신호 전압 VIH에게 0V (맥스)에서 설정했습니다. 출력 꺼짐 상태의 시간에 5V에 입력 신호 전압 VIL (민)에서 설정했습니다.
2. 작동할 때, 거기는 결점 단말기가 낮은 수준이 ( 때 내부 보호 회로가 폴트 신호 ON이 있습니다, 폴트 신호가 ON 상태입니다 : 출력 형태는 오픈 드레인이 ) 지만 폴트 신호가 걸쇠가 걸리지 않습니다. 보호 작동 단부 뒤에, 그것이 투 80 부인 앤드가 재개하는 약 18 부인 이내에 자동적으로 반환하 라고 작전 시작이 조건으로 합니다. 그럼 폴트 신호 검출 뒤에 동시에 모든 입력 신호에 (높은 것을) 유발시키세요. 그러나, 전치 구동 전원 공급기 저압 보호 (UVLO의 운영 : 0.3V)에 대해 이력현상이 다음과 같은 것이 가지고 있습니다. 그곳의 상부 측면 →는 어떤 오류신호출력부도 있지 않지만, 그러나 그것이 상응하는 게이트 신호 꺼짐 상태를 합니다. 부수적으로, 정규 전압에 복구될 때 그것은 규칙적인 작동으로 돌아가지만, 그러나 래치가 입력 신호 ON (로우) 중에 계속됩니다. 하단 측 → 그것이 게이트 신호 꺼짐 상태와 폴트 신호를 출력합니다. 그러나, 그것은 상부 측면의 보호 작동과 다릅니다, 자동적으로 18 부인 투 80 부인 나중에 관한 리셋이고, 정규 전압에 복구될 때 작업 시작 조건을 재개합니다. (보호 작동은 입력 신호 주기에 의해 걸쇠가 걸리지 않습니다)
3. M4 유형 스크루와 방열에 하이브리드 IC을 모을 때, 조임 토크는 범위는 0.79Nom 내지 1.17Nom입니다. 감열의 평탄성은 0.25 밀리미터 보다 낮아야 합니다.
4. 전치 구동 저압 보호는 프리 드라이버 공급 전압이 운영 오작동으로 감소할 때 장치를 보호하기 위해 기능입니다. 작업 시작의 경우에 프리 드라이버 공급 전압 하락과 기타에 대해서 말하자면, 우리는 일련에서 인증을 요구합니다.
FGL40N120ANDTU 40A 1200V 용접기 IGBT 단관식 NPT TO-264
FGA25N120ANTD TO-3P NPT 트렌치 IGBT 25A 1200V
HGTG11N120CND NPT GBT 안티 패러렐 초고속 다이오드 43A 1200V
IC BOM 서비스 전자 부품 40N60 IGBT 트랜지스터 FGH40N60 FGH40N60SMD
FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V 필드 스톱 IGBT 새로운 원형 IC
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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FGL40N120ANDTU 40A 1200V 용접기 IGBT 단관식 NPT TO-264 |
IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W Through Hole TO-264-3
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FGA25N120ANTD TO-3P NPT 트렌치 IGBT 25A 1200V |
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
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HGTG11N120CND NPT GBT 안티 패러렐 초고속 다이오드 43A 1200V |
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
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IC BOM 서비스 전자 부품 40N60 IGBT 트랜지스터 FGH40N60 FGH40N60SMD |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 349 W Through Hole TO-247-3
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FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V 필드 스톱 IGBT 새로운 원형 IC |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247-3
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