TPS51916EVM-746 완료 DDR2 DDR3 DDR3L과 DDR4 기억력 해결책 동기식 벅 GRM32ER60J107ME20L
제조 업체:
텍사스 인스트루먼트
기술:
TPS51916 D-CAPTM, D-CAP2TM 특수 목적 DC / DC, DDR 추억 공급 1, 비고립형 출력 평가 보드
범주:
IGBT 전원 모듈
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
전압 범위:
12 Ｖ
최대 입력 전류:
4.21 A
무부하 입력전류:
0.1 마
출력 전압 리플:
20 음피피
작동 온도:
25 오크
하이라이트:
multilayer ceramic chip capacitors
,smd ceramic capacitor
도입
TPS51916EVM-746 완료 DDR2, DDR3, DDR3L과 DDR4 기억력 해결책 동기식 벅 제어기, 2-A LDO, 버퍼링된 참조를 사용하기
기술
TPS51916EVM-746은 20-A 부하 전류까지로 규제된 1.5 VDDQ 출력을 생산하기 위해 규제된 12-V 버스를 사용하도록 설계됩니다. TPS51916EVM-746은 D-CAP2TM-mode 작동과 전형적 DDR3 애플리케이션에서 TPS51916을 증명합니다. EVM은 TPS51916의 성과를 평가하기 위해 또한 시험 포인트를 제공합니다.
전형적인 애플리케이션
오우 DDR2/DDR2/DDR3L/DDR4 메모리 전원 공급기
오우 SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135와 HSTL 종결
특징
TPS51916EVM-746 특징 :
전도재 VDDQ 출력 커패시터와 오우 D-CAP2TM-mode 가동
오우 20-Adc 정태 VDDQ 출력 전류
오우 지원 VDDQ 프리바이어스 벤처 기업
오우 SW1과 SW2는 S3, S5 전원 제어를 제공합니다
효율성과 신축성 작동을 위한 오우 선택적 외부 VLDOIN 전압
비판적 파형을 검사하기 위한 오우 편리한 시험 포인트
4.2 권장 시험 장치
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