PIC16F877-04/PT 전자적 IC 칩 8-비트 CMOS 플래시 마이크로컨트롤러

PIC16F87X

28/40 핀 8-비트 CMOS 플래시 마이크로컨트롤러

이 데이터 시트에 포함된 기기 :

오우 PIC16F873 오우 PIC16F874

오우 PIC16F876 오우 PIC16F877

마이크로컨트롤러 핵심 특징 :

오우 고성능 RISC CPU

오우 단지 35 1 워드 명령이 배웁니다

오우 모든 한 개의 주기 지시가 프로그램 브랜치를 위해 어느 것이 2사이클이라는 것 제외합니다

오우 동작속도 : DC - 20 마하즈 클락 입력

DC - 200번 나노 초 명령 주기

순간의 프로그램 메모리의 오우 최고 8K Ｘ 14까지 말,

데이터메모리 (RAM)의 최고 368 Ｘ 8까지 바이트

이이피롬 데이터 메모리의 최고 256 Ｘ 8까지 바이트

PIC16C73B/74B/76/77에 적합한 오우 핀 배치

오우 인터럽트 능력 (최고 14까지 원천들)

오우 여덟 레벨 딥 하드웨어 스택

직접적이고 간접적인 오우와 상대 주소 지정 방식

오우 파워온 리세트 (피오알)

오우 전원공급 타이머 (PWRT)와 발진기 시동 타이머 (OST)

믿을 수 있는 오퍼레이션을 위한 그 자체의 온칩 RC 발진기와 오우 감시 타이머 (WDT)

오우 프로그램 가능한 코드 보호

오우 파워 절약 슬립 모드

오우 선택 가능한 발진기 옵션

오우 저동력, 고속 CMOS 플래시 / EEPROM 기술

오우 완전히 정적 디자인

2개 핀 를 경유하는 오우 회로내 일련 프로그래밍티엠 (ICSP)

오우 단일 5V 회로내 직렬 프로그래밍 역량

2개 핀을 통해 결함을 제거하는 오우 회로내

오우 프로세서 리드 /는 프로그램 메모리에 대한 접근을 작성합니다

오우 넓은 작동 전압 범위 : 2.0V 내지 5.5V

오우 높은 싱크 / 전원 전류 : 25 마

상업적인 오우와 산업용 온드범위

오우 저전력 소비 :

- < 2="" mA="" typical="">

- 3V, 32 킬로 헤르츠에 전형적인 20 uA

- < 1="">

주변 형상 :

오우 Timer0 : 8비트 프리스케일러와 8비트 타이머 / 반대

오우 Timer1 : 프리스케일러와 16비트 타이머 / 반대가 외부 수정체 / 시계를 통해 수면 동안 증가시킬 수 있습니다

오우 Timer2 : 8비트 기간 레지스터, 프리스케일러와 포스트스 케일러와 8비트 타이머 / 반대

오우 두 캡쳐, 비교, PWM 모듈

- 캡쳐는 최대인 16비트입니다. 결의안은 12.5 나노 초입니다

- 비교는 최대인 16비트입니다. 결의안은 200 나노 초입니다

- PWM 최대. 결의안은 10개 비트입니다

오우 10 비트 다채널 아날로그-디지털 변환기

SPITM (마스터 모드)과 I2CTM (Master/Slave)와 오우 동시성의 직렬 포트 (SSP)

9번 비트 주소 탐지와 오우 범용 동기-비동기 송수신기 (USART/SCI)

외부 RD, WR와 CS 지배 (단지 40/44 핀)로, 8비트 넓인 오우 평행한 슬레이브 포트 (PSP)

브라운-아웃 리세트 (BOR)를 위한 오우 절전 검출 회로소자

절대 최대 정격 †

대기 온도 언더 바이어스.............................................................................. +125' Ｃ에 대한 -55

저장 온도.......................................................................................... -65' +150에 대한 Ｃ' Ｃ

VDD, MCLR (을 제외하고 VSS에 대한 어떠한 핀 위의 전압. 그리고 RA4)........ (VDD + 0.3V)에 대한 -0.3V

VSS에 대한 VDD 위의 전압.......................................................................... -0.3 내지 +7.5V

VSS (기록 2).................................................................0 내지 +14V에 대한 MCLR 위의 전압

대................................................................................0에서 +8.5V에 대한 RA4 위의 전압

전력 총손실 (주기 1)...............................................................................................1.0W

VSS 핀...........................................................................................300 마에서 최대 전류

VDD 핀..............................................................................................250 마로의 최대 전류

입력 클램프 전류, IIK (VI< 0="" or="" V=""> I > VDD)......................................................................... ± 20 마

출력 클램프 전류, IOK (보< 0="" or="" V=""> O > VDD)................................................................. ± 20 마

최대 출력 전류는 어떠한 I/O 핀............................................................................25 마 정도 가라앉았습니다

어떠한 I/O 핀......................................................................25 마에 의해 근본적인 최대 출력 전류

최대 전류는 문, PORTB와 포르테 (합병된) (기록 3)........................200 마 정도 가라앉았습니다

문, PORTB와 포르테 (합병된) (기록 3)..................200 마에 의해 근본적인 최대 전류

최대 전류는 PORTC와 PORTD에 의해 PORTC와 PORTD (합병된) (기록 3)..................................200 마에 의해 근본적인 (합병된) (기록 3)......................................200 마 최대 전류를 가라앉혔습니다

기록

1 : 전력 소모는 다음과 같이 산정됩니다 : 피디스 = VDD Ｘ { 국제 다이얼 - ∑ 통합 개방형 하이퍼미디어 } + ∑ { (VDD - VOH) Ｘ 통합 개방형 하이퍼미디어 } + ∑ (VOl Ｘ IOL)

2 : 80 마보다 더 큰 경향을 유도하는 MCLR 핀에 있는 VSS 아래에 있는 전압 스파이크가 래치-업을 야기시킬 수 있습니다. 그러므로, 직접적으로 이 핀을 VSS로 끌어 당기는 것보다 오히려, 낮은 수준을 MCLR 핀에 응용할 때 50-100Ω의 직렬 저항기는 사용되어야 합니다.

3 : PORTD와 포르테는 28 pin 장치에 구현되지 않습니다.

† 주의 : 절대 최대 정격 하에 목록화된 그것들 위의 스트레스는 장치에 대한 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다. 이것은 단지 스트레스 비율이고 그것들에 있는 장치의 기능의 운용 또는 이 상술의 작업 목록에서 나타낸 그것들 위의 다른 어떤 조건이 의미되지 않습니다. 연장된 기간 동안 최대 정격 상태에 대한 노출은 장치 신뢰도에 영향을 미칠 수 있습니다.

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