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집적 회로는 256K 쪽 매김된 평행한 EEPROM AT28C256-15PU를 자릅니다

제조 업체:
제조업자
기술:
EEPROM 메모리용 IC 256Kbit 대비 150 나노 초 28 PDIP
범주:
집적 회로 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
빠른 리드 억세스 타임 -:
- 150 나노 초
자동 페이지 쓰기 작동:
내부 주소와 64 바이트 동안 데이터 래치
빠른 쓰기 주기 시간:
- 페이지 쓰기 주기 시간 : 3 부인 오어 10 부인 최대
저출력 소실:
기입 탐지 끝을 위해 여론조사하는 자료
선입견 하에 온도:
. +125' C에 대한 -55' C
저장 온도:
+150' C에 대한 -65' C
하이라이트:

chip in electronics

,

integrated components

도입

특징

오우는 리드 억세스 타임 단식합니다

- 150 나노 초

오우 자동 페이지 쓰기 작동

- 내부 주소와 64 바이트 동안 데이터 래치

- 내부 제어 타이머

오우는 쓰기 주기 시간 단식합니다

- 페이지 쓰기 주기 시간 : 3 부인 오어 10 부인 최대

- 1 64 바이트 페이지 쓰기 작동에

오우 저출력 소실

- 50개 마 유효 전류

- 200 uA CMOS 대기 전류

오우 하드웨어와 소프트웨어 데이터 보호

기입 탐지 끝을 위한 오우 데이터 폴링

오우 높은 신뢰도 CMOS 기술

- 내구성 : 104 또는 105 사이클

- 데이터 유지 : 10년

오우 단일 5V ± 10% 공급

오우 CMOS와 TTL 호환 가능 입출력

오우 JEDEC 승인되 바이트-와이드 핀 배치

오우 가득 찬 군이고 산업용 온드범위

오우 그린 (Pb/Halide-free) 옵션 패키징

핀 형상

핀 네임 기능
A0 - A14 주소
CE 칩 가능
OE 출력 가능
우리 기록 허용
I/O0 - I/O7 데이터 입력 / 출력
NC 아니오 연결되세요
DC 연결되지 마세요

기술

AT28C256은 고성능 전기적으로 지울 수 있고 프로그램 가능한 판독 전용 기억 장치입니다. 기억 중 그것의 256K는 8비트까지 32,768마리의 말로 구성됩니다. 아트멜의 진보적 불휘발성 CMOS 기술에 의해 제조되어 장치는 단지 440 mW의 전력 소모와 150 나노 초에 엑세스 시간을 제공합니다. 장치가 선택해제될 때, CMOS 대기 전류는 200 uA 이하입니다.

AT28C256은 외부 부품이 필요없는 읽기 또는 기입 사이클을 위한 스태틱 랜돔 어세스 메모리와 같이 접근됩니다. 장치는 동시에 최고 64까지 바이트을 쓰기를 허락하기 위해 64 바이트 페이지 레지스터를 포함합니다. 기입 사이클 동안, 내부로 다른 활동을 위해 주소와 데이터 버스를 자유롭게 하면서, 데이터의 주소와 1 내지 64 바이트는 걸쇠가 걸립니다. 기입 사이클의 창업 후에, 장치는 자동적으로 내부 타이머 제어를 이용하여 래치 데이터를 기록할 것입니다. 기입 사이클의 말은 I/O7의 데이터 폴링에 의해 탐지될 수 있습니다. 한때 기입 사이클의 마지막은 발견되었고 읽기 또는 기입에 대한 새로운 접슨이 시작할 수 있습니다.

아트멜의 AT28C256은 고급 품질과 제조가능성을 보증하기 위해 추가 기능을 가지고 있습니다. 기기는 확대된 내구성과 개선된 데이터 유지 특성을 위한 내부 오류 수정을 이용합니다. 선택적 소프트웨어 데이터 보호 기구는 예방할 수 있고 부주의하 씁니다. 장치는 또한 디바이스 식별 또는 추적을 위한 EEPROM의 여분 64 바이트를 포함합니다

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