2N7002PW 표면 부착 NPN PNP 트랜지스터 엔 채널 60V 310mA (Ta) 260mW
제조 업체:
제조업자
기술:
N채널 60V 315mA(Ta) 260mW(Ta) 표면 실장 SOT-323
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
상술
범주:
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
소스 전압에 고갈되세요:
60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
310mA (Ta)
구동 전압:
10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
1.6 500mA, 10V에 있는 오옴
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
2.4V @ 250µA
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
4.5V에 있는 0.8nC
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
10V에 있는 50pF
하이라이트:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
도입
2N7002PW NPN PNP 트랜지스터 N 채널 60V 310mA (Ta) 260mW (Ta) 표면 마운트 SC-70
설명
이 MOSFET는 온 상태 저항 (RDS ((ON)) 을 최소화하고 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 설계되었으며, 고효율 전력 관리 애플리케이션에 이상적입니다.
신청서
• 운동 조절
전력 관리 기능
특징
낮은 저항력
낮은 게이트 임계 전압
낮은 입력 용량
빠른 전환 속도
작은 표면 장착 패키지
완전히 납 없는 & 완전히 RoHS 준수 (고시 1 & 2)
알로겐 및 안티몬이 없습니다. ∙ 그린 ∙ 장치 (3 & 4 참고)
높은 신뢰성을 위한 AEC-Q101 표준에 적합
기계적 데이터
케이스: SOT23
케이스 재료: 폼플라스틱, Green Molding Compound. UL 연화성 등급 94V-0
종말: 매트 틴 픽업 알로이 42 납 프레임 (연두 없는 접착) 위에 앙일. MIL-STD-202, 방법 208에 따라 soldable
터미널 연결: 다이어그램 참조
무게: 0.008 그램 (약)
| 제품 속성 | 모든 것을 선택 |
| 카테고리 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 | |
| 제조업자 | 넥스페리아 USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 부분 상태 | 액티브 |
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 310mA (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 1.6 오hm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| FET 특징 | - |
| 전력 분산 (최대) | 260mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | SC-70 |
| 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
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