BSH201,215 NPN PNP 트랜지스터 Ｐ 채널 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) 표면 부착
제조 업체:
제조업자
기술:
P채널 60V 300mA(Ta) 417mW(Ta) 표면 실장 TO-236AB
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 에스크로
상술
범주:
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:
60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C:
300mA (Ta)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다):
4.5V, 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds:
2.5 160mA, 10V에 있는 오옴
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):
1mA (민)에 있는 1V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:
10V에 있는 3nC
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스):
48V에 있는 70pF
하이라이트:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
도입
BSH201 NPN PNP 트랜지스터 P 채널 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) 표면 마운트
P 채널 증강 모드 BSH201 MOS 트랜지스터
특징 기호 빠른 참조 데이터 • 낮은 임계 전압 VDS = -60 V • 빠른 전환 • 논리 수준 호환 ID = -0.3 A • 소형 표면 장착 패키지 RDS ((ON) ≤ 2.5 Ω (VGS = -10 V)
일반 설명 PINING SOT23
P 채널, 강화 모드, PIN DESCRIPTION 논리 레벨, 필드 효과 전력 트랜지스터이 장치는 낮은 1 게이트 임계 전압과 매우 빠른 스위칭을 가지고 있으며 2 소스 배터리 가동 애플리케이션 및 고속 디지털 인터페이스를 위해 이상적입니다.. 3 배수
BSH201은 SOT23 소형 표면 장착 패키지로 제공됩니다.
| 제품 속성 | 모든 것을 선택 |
| 카테고리 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 | |
| 제조업자 | 넥스페리아 USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 부분 상태 | 액티브 |
| FET 타입 | P 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 4.5V, 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 2.5 오hm @ 160mA, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA (분) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 48V |
| FET 특징 | - |
| 전력 분산 (최대) | 417mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 공급자의 장치 패키지 | TO-236AB |
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