2SD2227STPW 50V DC 0.15A 범용 트랜지스터 엔피엔 형 단일 구성
제조 업체:
제조업자
기술:
양극(BJT) 트랜지스터 NPN 50V 150mA 250MHz 300mW 스루홀 SPT
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 에스크로
상술
트랜지스터 극성:
NPN
수집기 에미터 전압 VCEO 맥스:
50V
수집기 기본 전압 VCBO:
60V
방출기 기본 전압 VEBO:
12V
최대 DC 컬렉터 전류:
0.15A
이득 대역폭 제품 fT:
250 마하즈
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
직류 전류 이득 하페 맥스:
5 Ｖ에 있는 1 마에 있는 1200년
하이라이트:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
도입
2SD2227S NPN PNP 트랜지스터 일반용 트랜지스터 50V 0.15A
중량 전력 트랜지스터 (25V, 1.2V), 일반용 트랜지스터 (50V, 0.15A)
특징
1) 높은 DC 전류 증가.
2) 높은 방출기 기본 전압 (VCBO=12V)
3) 낮은 포화 전압. (형 VCE (sat) = 0.3V IC / IB = 50mA / 5mA)
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 장착 방식: | SMD/SMT |
| 트랜지스터 극성: | NPN |
| 구성: | 싱글 |
| 집합기 - 방출기 전압 VCEO Max: | 50V |
| 콜렉터 - 기본 전압 VCBO: | 60V |
| 발사자-기본전압 VEBO: | 12V |
| 최대 DC 컬렉터 전류: | 0.15A |
| 광역폭 증가 제품 fT: | 250 MHz |
| 최대 작동 온도: | + 150C |
| DC 전류 증가 hFE 최대: | 1mA에서 5V에서 1200 |
| 연속 전류: | 0.15A |
| Pd - 전력 분산: | 300mW |
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10 PCS