다용도의 파워 모스펫 트랜지스터 (NPN 실리콘) Pb-프리 패키지 MMBT3904LT1G
제조 업체:
제조업자
기술:
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 40 Ｖ 200 마 300MHz 300 mW 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
컬렉터-이미터 전압:
40 프디시
컬렉터베이스 전압:
60 VDC
이미터 베이스 전압:
6.0 프디시
컬렉터전류 - 연속적입니다:
200 마드크
결합과 저장 온도:
+150 'Ｃ에 대한 -55
하이라이트:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
도입
범용 트랜지스터
NPN 실리콘
최대 정격
| 평가 | 기호 | 가치 | 유닛 |
| 컬렉터-이미터 전압 | VCEO | 40 | 프디시 |
| 컬렉터베이스 전압 | VCBO | 60 | 프디시 |
| 이미터 베이스 전압 | VEBO | 6.0 | 프디시 |
| 컬렉터전류 - 연속적입니다 | IC | 200 | 마드크 |
열특성
| 특성 | 기호 | 맥스 | 유닛 |
|
전체 소자 산재 FR-5 이사회 (주기 1) @TA = 25' Ｃ 25' Ｃ를 위쪽에 낮추세요 |
PD | 225 1.8 | mW mW/' Ｃ |
| 열 저항, 접속 대 주위 | RJA | 556 | 'C/W |
|
전체 소자 산재 알루미나 기판, (기록 2) @TA = 25' Ｃ 25' Ｃ를 위쪽에 낮추세요 |
PD |
300 2.4 |
mW mW/' Ｃ |
| 열 저항, 접속 대 주위 | RJA | 417 | 'C/W |
| 결합과 저장 온도 | TJ, 트스트그 | +150에 대한 -55 | 'Ｃ |
펄스 시험 : 펄스폭 300 Ｓ, 의무는 2.0%를 순환시킵니다. Ｆ
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5pcs