MJE15032G MJE15033G 파워 모스펫 트랜지스터 보완력 모스펫
multi emitter transistor
,silicon power transistors
주식 호가 (뜨거운 매도)
부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
BCX71G | 48000 | 페어 차일드 | 15+ | SOT-23 |
UC3842 | 49825 | ON | 16+ | DIP-8 |
2SA1774TLR | 50000 | ROHM | 16+ | SOT23-3 |
2SC3355 | 50000 | NEC | 14+ | TO-92 |
FDN338P | 50000 | FSC | 14+ | SOT-23 |
KIA78L08 | 50000 | KEC | 14+ | SOT89 |
SS13 | 50000 | 비샤이 | 16+ | SMA |
MBT2907ALT1G | 51200 | ON | 16+ | SOT-23 |
BAV70 | 52000 | 13+ | SOT23 | |
SK16 | 52000 | MOSPEC | 15+ | SMA |
UMX1N | 60000 | ROHM | 16+ | SOT363 |
NJM4558D-#ZZZB | 70000 | JRC | 16+ | DIP8 |
2SA1586-gr | 78000 | 토시바 | 14+ | SOT-323 |
SMBJ18A | 88000 | 비샤이 | 14+ | DO-214AA |
UC3842BD1013TR | 90000 | 거리 | 14+ | SOP8 |
FR607 | 98000 | 마이크 | 16+ | R-6 |
BC857BLT1G | 99000 | ON | 16+ | SOT-23 |
78L05 | 100000 | TI | 13+ | TO92 |
AP8022 | 100000 | CHIPOWN | 15+ | DIP-8 |
SMBJ12CA | 101000 | 비샤이 | 16+ | SMB |
BC847BLT1G | 117000 | ON | 16+ | SOT-23 |
BAT54A | 6000 | 14+ | SOT-23 | |
2N7002P | 3000 | 14+ | STO-23 | |
AD9957BSVZ | 2010 | ADI | 14+ | QFP |
BY500-800 | 2015 | 비샤이 | 16+ | DO-201 |
LM311P | 2020 | TI | 16+ | DIP8 |
XC5VSX95T-1FFG1136C | 525 | 자일링스 | 13+ | BGA |
XC5VSX95T-1FFG1136I | 530 | 자일링스 | 15+ | BGA |
AD9958BCPZ | 2035 | AD | 16+ | BGA |
BD237 | 2040 | 16+ | 하락 |
MJE15032 (NPN), MJE15033 (PNP)
보완적 실리콘 플라스틱 파워 트랜지스터
8.0 암페어 파워 트랜지스터 보완적 실리콘 250 볼트, 50 와트
가청 주파 증폭기에서 고주파 드라이버로 사용하기 위해 설계됩니다.
특징
5.0 암페어에 상세화된 오우 DC 전류 이득
IC = 0.5 Adc에 있는 hFE = 70 (민)
IC = 2.0 Adc에 있는 = 10 (민)
오우 콜렉터-에미터 지속 전압
- VCEO는 = 250 프디시 (민) - MJE15032, MJE15033을 (의심합니다)
오우고 전류 게인 - 밴드 폭 산물
IC = 500 마드크에 있는 fT = 30 마하즈 (민)
오우 TO-220AB 소형 패키지
오우 에폭시는 안에 UL 94 V-0을 0.125에서 만납니다
오우 ESD 평가 : 기계모델 C
휴먼 바디 모델 3B
오우 Pb-프리 패키지는 Available*입니다
최대 정격
평가 |
기호 |
가치 |
유닛 |
컬렉터-이미터 전압 |
VCEO |
250 |
프디시 |
수집기 토대 전압 |
볼륨 제어 블록 |
250 |
프디시 |
방출기 토대 전압 |
VEB |
5.0 |
프디시 |
-연속적인 컬렉터전류 -성수기 |
IC |
8.0 16 |
Adc |
토대 경향 |
IB |
2.0 |
Adc |
전력 총손실 @TC=25C 25C를 위쪽에 낮추세요 |
PD |
50 0.40 |
W W/C |
전력 총손실 @TA=25C 25C를 위쪽에 낮추세요 |
PD |
2.0 0.016 |
W W/C |
저장과 작동 접합부 온도 범위 |
TJ, TSTG |
+150에 대한 -65 |
C |
패키지 치수
TO-220
경우 221A-09
쟁점 AA
0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL
200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A
22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉
MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다
2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A
DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드
PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123
SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다
SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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