P4NK60ZFP 파워 모스펫 트랜지스터 고전력 MOSFET 트랜지스터
제조 업체:
제조업자
기술:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
Drain-source Voltage:
600 V
Drain-gate Voltage:
600 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
단열재 내전압:
2500 Ｖ
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
하이라이트:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
도입
주식 호가 (뜨거운 매도)
| 부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
| MAX191BCWG+ | 2338 | 격언 | 16+ | SOIC-24 |
| MAX1932ETC+T | 3044 | 격언 | 13+ | QFN |
| MAX232EIDR | 50000 | TI | 13+ | SOP-16 |
| MAX232IDW | 9003 | TI | 11+ | SOP-16 |
| MAX253CSA+ | 6562 | 격언 | 14+ | SOP-8 |
| MAX3051EKA+T | 3853 | 격언 | 14+ | SOT-23 |
| MAX3061EEKA | 4024 | 격언 | 15+ | SOT23-8 |
| MAX3070EESD | 5557 | 격언 | 16+ | SOP-14 |
| MAX31865ATP+T | 3707 | 격언 | 16+ | QFN20 |
| MAX3221ECPWR | 3059 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3224ECAP | 4095 | 격언 | 16+ | SSOP-20 |
| MAX3232CPWR | 5697 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3232CUE | 3986 | 격언 | 16+ | TSSOP |
| MAX3232EIDR | 3667 | TI | 16+ | SOP-16 |
| MAX3238ECPWR | 8331 | TI | 10+ | TSSOP |
| MAX3243CDBR | 3590 | TI | 14+ | SSOP-28 |
| MAX3243ECDBR | 6741 | TI | 09+ | SSOP-28 |
| MAX32590-LNJ+ | 553 | 격언 | 13+ | NA |
| MAX3311CUB | 2302 | 격언 | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3311EEUB | 2324 | 격언 | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3442EEPA+ | 3095 | 격언 | 16+ | DIP-8 |
| MAX3442EESA+T | 5829 | 격언 | 16+ | SOP-8 |
| MAX3486CSA | 15889 | 격언 | 16+ | SOP-8 |
| MAX3490CSA+ | 11077 | 격언 | 13+ | SOP-8 |
| MAX4080SASA+T | 15089 | 격언 | 16+ | SOP-8 |
| MAX418CPD | 3034 | 격언 | 14+ | DIP-14 |
| MAX4624EZT | 15171 | 격언 | 16+ | SOT23-6 |
| MAX4663CAE | 2151 | 격언 | 16+ | SSOP-16 |
| MAX472CPA | 4115 | 격언 | 15+ | DIP-8 |
| MAX491CPD+ | 14840 | 격언 | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
제너 보호된 슈퍼메쉬티엠파워 MOSFET
= 1.76 Ω (의) ■ 전형적 RDS
■ EXTREMELY 높은 것 드프 / dt 역량
시험된 ■ 100% 쇄도
■ 게이트전하는 최소로 했습니다
■ 매우 낮은 고유 커패시턴스
■ 매우 좋은 제작 반복성
기술
슈퍼메쉬티엠 시리즈는 ST의 기초가 튼튼하 스트립베이스 파워메쉬티엠 설계의 극단적 최적화를 통하여 획득됩니다. 의미 심장하게 아래 박력 있는 온 저항 뿐 아니라 특별한 주의는 가장 요구가 지나친 응용을 위한 매우 좋은 드프 / dt 역량을 보증하기 위해 잡힙니다. 그와 같은 시리즈는 혁명적 마드메쉬티엠 제품을 포함하는 고전압 MOSFET의 ST 전체 범위를 보강합니다.
애플리케이션
■고 전류, 고속도 스위칭
오프라인 전원 공급기, 어댑터와 PFC에 이상적인 ■
■ 조명
절대 최대 정격
| 기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 | ||
|
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 |
STP4NK60ZFP |
STD4NK60Z STD4NK60Z-1 |
|||
| VDS | 드레인-소스 전압 (VGS = 0) | 600 | Ｖ | ||
| VDGR | 드레인 게이트 전압 (RGS = 20 kΩ) | 600 | Ｖ | ||
| VGS | 게이츠 소스 전압 | ± 30 | Ｖ | ||
| ID | TC = 25' Ｃ에 있는 (연속적인) 드레인전류 | 4 | 4 (*) | 4 | A |
| ID | TC = 100' Ｃ에 있는 (연속적인) 드레인전류 | 2.5 | 2.5 (*) 2.5 (*) | 2.5 | A |
| IDM (오우?) | (펄스용인) 드레인전류 | 16 | 16 (*) | 16 | A |
| PTOT | TC = 25' Ｃ에 있는 전체 산재 | 70 | 25 | 70 | Ｗ |
| 감쇄 요소 | 0.56 | 0.2 | 0.56 | W/' Ｃ | |
| VESD(g-s) | 게이트 소스 ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 3000 | Ｖ | ||
| 드프 / dt (1) | 최대 다이오드 복구 전압 기울기 | 4.5 | V/ns | ||
| 비소 | 단열재 내전압 (DC) | - | 2500 | - | Ｖ |
|
트제이 트스트그 |
작동 접합 온도 저장 온도 |
-55 내지 150 -55 내지 150 |
'Ｃ | ||
(오우??) 펄스폭은 안정 동작 영역에 의해 제한했습니다
(1) ISD ≤4A, 직경 / dt ≤200A/us, VDD ≤ V(BR)DSS, 트제이 ≤ TJMAX.
단지 최고 온도에 의해 제한된 (*)는 인정했습니다
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