IRFPE50 트랜지스터 전자공학적 성분 전자 전력 MOSFET
npn smd transistor
,silicon power transistors
IRFPE50 트랜지스터 전자공학적 성분 전자 전력 MOSFET
특징
오우 원동력 dV/dt 평가
평가된 오우 반복성 쇄도
오우 고립된 중심 고정공
오우는 스위칭을 금식시킵니다
병렬의 오우 용이성
오우 단순한 드라이브 요구사항
이용 가능한 -무료 오우 리드 (Pb)
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | 비샤이 | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | 비샤이 | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | 비샤이 | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | 비샤이 | 1632/12 | SMA |
RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | 비샤이 | 1612 | SMD2010 |
RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | 비샤이 | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I / SL | 마이크로칩 | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | 전문가 | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
트랜스 2SS52M | 허니웰 | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | 마이크로칩 | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | 거리 | 135 | SOP-24 |
캡 1210년 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | 삼성 | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
캡 엘코 SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | 팬 | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | 마이크로칩 | 1636M6G | SOP-8 |
캡 엘코 SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | 니치콘 | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RES RC0805JR-0727RL | 야게오 | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RES RC0805JR-0715KL | 야게오 | 1637 | SMD0805 |
캡 세라미드 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
캡 세라미드 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | 삼성 | AC7JO2H | SMD0805 |
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | 야게오 | 1638 | SMD0805 |
RES 3K3 5% 경우 0805RC0805JR-073K3L | 야게오 | 1623 | SMD0805 |
트라이액 BTA26-600BRG | 거리 | 628 | TO-3P |
0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB을 완성하세요 | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
기술
비샤이로부터의 3 세대 파워 모스펫은 디자이너에게 고속 스위칭, 울퉁불퉁한 기기 디자인, 낮은 온 저항과 비용효율성의 최고의 조합을 제공합니다.
TO-247 패키지는 더 높은 전원 수준이 TO-220 기기의 사용을 배제하는 상업적 산업적 적용에 적합합니다.
TO-247은 그것의 고립된 장착 구멍 때문에 더 이른 TO-218 패키지에 비슷하지만 뛰어납니다. 그것은 대부분의 안전 상술의 그 요구를 만족시키기 위한 안전핀 사이에 또한 더 큰 연면 거리를 제공합니다.
절대 최대 정격 TC = 25oC, 그렇지 않았다면 상세화되고지 않는다면
드레인-소스 전압 VDS 800 V
게이트-소스 전압 VGS ± 20
10 V에 있는 연속적인 드레인전류 VGS
TC = 25 'C ID 7.8 TC = 100 'C 4.9 A
펄스용 배수 커런트아 IDM 31
선 감쇄 요소 1.5 W/' C
단일 펄스는 에네르기비 EAS 770 마제이를 압도합니다
반복성 쇄도 커런트아 IAR 7.8 A
반복성 쇄도 에너자야 귀 19 마제이
최대 파워 분해 TC = 25 'C PD 190 W
최대 다이오드 복구 dV/dtc dV/dt 2.0 V/ns
결합과 보존온도범위 TJ, 트스트그 - 55 내지 + 150 'C를 운영하기
10 S 300d 동안 납땜 권고 (피크 온도)
1.1 엔 · M에서 설치 토크 6-32 또는 M3 스크루 10 라이브프 ·
0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL
200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A
22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉
MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다
2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A
DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드
PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123
SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다
SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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