현재 센서 ics 삼성전자 IC 칩의 ACS756SCA-100B-PFF-T 압력 센서 IC 가족
temperature sensor ic
,hall effect sensor ic
ACS756SCA-100B-pff-t
3 크브르엠에스 전압 격리와 저저항 경향 관리인과 완전히 통합된, 홀 효과 기반 비례 전류 센서 ic
현재 센서 ics의 알레그로 ACS756 가족은 AC을 위한 경제적이고 구체적 해결책 또는 자동차와 상업적이어 산업적인 것에 DC 전류 감지와 통신 시스템을 제공합니다.
특징과 혜택
저잡음 아날로그 신호 경로
디바이스 대역폭은 새로운 필터 핀을 통해 세팅됩니다
상승 시간 스텝 입력 경향에 응하여 5 μs 출력
80개 킬로 헤르츠 대역폭
TA = 25' C에 있는 전체 출력 에러 1.5%
작은 발자국, 주목을 거의 못 받는 SOIC8 패키지
1.2 mΩ 내부 도체 저항
2.1 핀 1-4부터 핀 5-8까지 크브르엠에스 최소 분리 전압
5.0 V, 단일 공급 동작
66 내지 185 mV/A 출력 감도
AC 또는 DC 경향에 비례한 출력 전압
정확도를 위해 손질된 공장
극단적으로 안정적 출력된 오프셋 전압
거의 제로 자기 이력
공급 전압으로부터의 비율계량 출력
기술
Allegro® ACS712는 AC을 위한 경제적이고 구체적 해결책 또는 산업적, 상업적과 통신 시스템에서 DC 전류 감지를 제공합니다. 소자 패키지는 고객에 의해 쉬운 이행을 고려합니다. 전형적인 애플리케이션은 모터 콘트롤, 부하 검출과 관리, 스위칭-모드 전원 장치와 과전류 결함 예방을 포함합니다.
장치는 다이의 표면 근처에 위치한 구리 도전 패스로 정확한 저오프셋, 선 홀 센서 회로로 구성됩니다. 이 구리 도전 패스를 통해 흐르는 인가 전류는 통합된 홀 아이씨에 의해 느껴지고 비례 전압으로 변환되는 자기장을 발생시킵니다.
장치 정확도는 홀 변환기에 대한 자기 신호의 인접을 통하여 최적화됩니다.
정확한 비례 전압은 저오프셋, 초러 안정 바이폴라 CMOS 홀 아이씨에 의해 제공되며, 그것이 패키징한 후 정확도를 위해 프로그램을 짭니다.
장치의 출력은 오름 경사 (>VIOUT(Q))를 가지고 있습니다 길인 중요한 구리 도전 패스를 통한 증가하고 있는 전류가 (핀 1과 핀 3과 4에, 2로부터) 전류 감지를 위해 사용했을 때. 이 전도성 경로의 내부 저항은 1.2 mΩ 전형적, 제공하는 저소비입니다. 구리 전도체의 두께는 5× 과전류 상태까지로 장치을 생존을 허락합니다.
전도성 경로의 단말기는 전기적으로 센서의 리드선 (핀 5 에서 8)로부터 고립됩니다. 이것은 ACS712 전류 센서가 광학 절연체 또는 다른 비싼 격리 기술을 사용하지 않고 전기적분리를 요구하여 앱에서 사용될 수 있게 허락합니다.
ACS712는 작은 표면 부착 SOIC8 패키지에 제공됩니다. 리드프레임은 (Pb가) 프린트 회로 기판 조립 과정을 자유롭게 하다는 것을 표준 리드와 호환 가능한 100% 매트 주석으로 도금됩니다. 내부로, 장치는 로에스가 현재 면제된 플립칩 고온 Pb 기반을 둔 솔더 볼을 제외하고, Pb-프리입니다. 장치는 완전히 공장으로부터 출하 전에 눈금 보정됩니다.
주식 리스트의 부품
부품 번호. | 브랜드 | 데이트코드 | 패키지 |
BC847A | 1512 | SOT-23 | |
IHLP2020BZER2R2M11 | 비샤이 | 2.2UH/1415 | SMD |
IRF7329TRPBF | IR | P447G | SOP-8 |
LD39150PT | 거리 | GKOPY302 | TO-252 |
MC34063ADR2G | ON | 1518 | SOP-8 |
MIC841LYC5 | 마이클렐 | B14 | SC70-5 |
S3D | 비샤이 | SD | DO-214AB |
TL431ACDBZR | TI | TAC | SOT-23 |
TLP124 | TOS | 413 | SOP-4 |
TNY275PG | 힘 | 1525/1530 | DIP-7 |
ZM4732A | 거리 | 15+ | LL41 |
CMS05 | TOS | S5 | M-FLAT |
SMAJ6.0A | 비샤이 | AG / 1615년 | SMA |
SMAJ58A | 비샤이 | RG | DO214AC |
TCN75AVOA | 마이크로 | 1552 | SOP-8 |
세라믹 콘덴서 0603 1000 피코파라드 (1.0 nF) 5% 50V NPO GRM1885C1H102JA01 | 무라타 | IA6322RT5 | SMD0603 |
MMBTA92LT1G | ON | 2D | SOT-23 |
PT2262S | PTC | 1SD35Z/NXD15 | SOP-20 |
PT2272A-M2 | PTC | 1SE32Z/KBCPQ | DIP-20 |
PT2272-M4 | PTC | 1SE32Z/NXD16 | DIP-20 |
PT2272-L4 | PTC | 1SE36Z/NXD12 | DIP-20 |
PT2272-M6 | PTC | 1SE32Z/QQT12 | DIP-20 |
ES3A-E3/57T | 비샤이 | EA-1535-1610-1615 | DO-214AB/SMC |
MAX489CPD | 격언 | 1548 | DIP-14 |
NH82801GB SL8FX | 인텔 | L934H040 | BGA652 |
LITTELFUSE-0459003.UR | LITTELFUSE | 07-03-25,07-03-19,07-02-20 | SMD |
RES MS 110R 5% 2512 1W RC2512JK-07110RL |
야게오 | 1609 | SMD2512 |
캡 MC 22uF 25V X5R 10% GRM32ER61E226KE15L |
무라타 | IA6526QH6 | SMD1210 |
캡 MC 10UF 50V 2220 X7R 20% C5750X7R1H106MT000N | TDK | IB16E09167SD | SMD2220 |
TXD2SA-5V | 팬 | 10220,10205,10130 | SMD-8 |
캡 세라미드 10KPF/50V ±20% C0805C103M5RACTU |
케멧 | 1603 | SMD0805 |
RES MS 0R68 1% RL2512FK-070R68L |
야게오 | 1614 | SMD2512 |
캡 MC 세라미드 10uF 16V 20% X5R C3216X5R1C106MT000N | TDK | IB16E17800SD | SMD1206 |
AO3400A | 알파 | 16C/A0CV17 | SOT-23 |
HGDEPT031A | 알파 | 090803DL09/DLf,090803DK02/DKf | SOT-23 |
IND 3,3uH 1A는 COILCRAFT LPS3015-332MLC |
COILCRAFT | 2010320288/89/332D | SMD3015 |
BSS138LT1G | ON | 1623년 | SOT-23 |
캡 세라미드 68KPF/100V 10% 12061C683KAT2A |
AVX | 1618 | SMD1206 |
BSS84LT1G | ON | 1615년 / 중양자를 포함하는 계의 pH에 상당하는술어 | SOT-23 |
PBSS5320T | 1430년 / ZHW | SOT-23 | |
AP130-33SAG-7 | 다이오드 | 1320년 | SOT-23 |
06035A220KAT2A | AVX | 1613 | SMD0603 |
12105A472KAT2A | AVX | 1616 | SMD1210 |
캡 세라미드 1000PF/50V 10% 06035A102JAT2A | AVX | 1611 | SMD0603 |
캡 세라미드 56000PF/25V 10% 06033C563KAT2A |
AVX | 1614 | SMD0603 |
디지털 입 출력은 200V 3A ES3D-E3/57T를 부드럽게 합니다 | 비샤이 | 1615년 / ED | SMC |
GBY321611T-202Y-N | CHILISIN | 2016-2-26 | SMD1206 |
DFLS120L-7 | 다이오드 | 1341년 | SOD123 |
디지털 입 출력 SS14 | 마이크 | 1614 | SMA |
06033A102JAT2A | AVX | 1616 | SMD0603 |
캡 세라미드 20pF/16V 10% NPO GRM1885C1H200JA01D |
무라타 | IA6424HH8 | SMD0603 |
캡 세라미드 200pF/16V 10% NPO GRM1885C1H201JA01D |
무라타 | IA6420PL5 | SMD0603 |
비즈 120R 25% PBY160808T-121Y-N | CHILISIN | 2016-3-6 | SMD0603 |
비즈 11R PBY321611T-110Y-N |
CHILISIN | 2016-4-6 | SMD1206 |
캡 MC 22uF/10V X5R CL21A226MPCLRNC |
삼성 | AC5TOAG | SMD0805 |
12067C472KAT2A | AVX | 1616 | SMD1206 |
B340-13-F | 다이오드 | 1531년 | SMC |
MMBT3904LT1G | ON | 1620/1 AM | SOT-23 |
BLM41AF800SN1L | 무라타 | AM6105337 | SMD1808 |
BSS138LT1G | ON | 1623년 | SOT-23 |
0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL
200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A
22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉
MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다
2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터
IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A
DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드
PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123
SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다
SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMT 후막 칩 저항기 RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz 전원 라인 TDK SMD0603을 위한 MPZ1608S300ATAH0 칩 비즈 5A |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5% SMD0402 필름 칩 저항기 ERJ-2GEJ220X 파나소닉 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kA 바리스터 푸른 SMD 칩 저항기 1 회로 관통 홀은 20 밀리미터를 디스크로 만듭니다 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-tp 10W 다용도의 정류 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나 PNP 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P 극 파워 모스펫 하이퍼페트 TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FU,H3F 텔레비전 24VWM 47V ESD 보호 다이오드 |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A 낮은 VF 엄청나게 큰 쇼트키 접합 정류기 SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드는 - 214AC을 합니다 |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0A 실리콘 애벌런치 다이오드 600W 표면 부착 전압 억제 다이오드 |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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