C2012X7S2A224K085AE SMD0805 축전기 ic 탄탈 칩 다층 세라믹 캡
상술
온도 범위:
+150' C에 대한 -55' C
지불조건:
전신환, 페이팔, 웨스턴 유니온
전압:
100V
경향:
5A
패키지:
SMD0805
공장 패키지:
2000년 /는 비틀거립니다
하이라이트:
ferrite bead model
,multilayer ceramic chip capacitors
도입
다층 세라믹 칩 축전기 C2012X7S2A224K085AE
기술
2.2 μF 2012 1.25 +0.25/-0.20 ± 10% C2012X7R1V225K125AE ± 20% C2012X7R1V225M125AE 4.7 μF 2012 1.25 +0.25/-0.20 ± 10% C2012X7R1E475K125AE C2012X7R1C475K125AE ± 20% C2012X7R1E475M125AE C2012X7R1C475M125AE 3216 1.60 +0.30/-0.20 ± 10% C3216X7R1V475K160AE ± 20% C3216X7R1V475M160AE 10 μF 3216 1.60 +0.30/-0.20 ± 10% C3216X7R1E106K160AE ± 20% C3216X7R1E106M160AE 2.2 μF 3225 2.30 +0.30/-0.20 ± 10% C3225X7R2A225K230AE ± 20% C3225X7R2A225M230AE
주식의 부분적
DIODO US1M-E3/61T | 1800 | 비샤이 |
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 5000 | 야게오 |
트랜스. ZXMN10A09KTC | 250 | ZETEX |
C.I LD1117S33CTR | 5000 | STM |
트라이액 BTA16-800BW3G | 300 | ON |
C.I TL074CN | 100 | TI |
ULN2003AN | 50 | TI |
C.I CD40106BE | 25 | TI |
C.I L7805CD2T TR | 1000 | 거리 |
RES 750R 1% RC0805FR-07750RL |
5000 | 야게오 |
트랜스 BCX71J | 3000 | |
UDN2987LWTR-6-T | 300 | ALLEGGR |
MC34063AP1 | 1500 | ON |
A4988SETTR-T | 400 | 알레그로 |
SFH229FA | 19500 | 오스람 |
SFH4301 | 19500 | 오스람 |
LM2596SX-5 | 100 | NSC |
ATMEGA32A-AU | 130 | 아트멜 |
ULN2803AFWG | 300 | 토시바 |
MJD42C | 625 | ON |
MJD41C | 120 | ON |
74HC595D | 400 | |
ES3A-E3/57T | 56950 | 비샤이 |
IRFZ44N | 200 | IR |
IRF3205 | 100 | IR |
LM19CIZ/LFT4 | 100 | TI |
MX25L512MC-12G | 500 | MXIC |
SSS7N60B | 100 | 페어 차일드 |
MX25L1605AM2C-15G | 50 | MXIC |
IT8728F-EXA | 10 | ITE |
0453007.MR | 1000 | LITTELFUSE |
RT8859MGQW | 100 | RICHTEK |
2SK2648-01 | 50 | 후지 |
AT90S1200-12SC | 200 | 아트멜 |
BLM21BD102SN1D | 4000 | |
BSS138LT1G | 3000 | ON |
IRF7424TRPBF | 4000 | IR |
C.I BD9701FP-E2 | 2000 | ROHM |
1u X7R CL10B105KA8NNNC를 완성하세요 | 4000 | 삼성 |
RXEF090 | 2000 | 레이켐 |
BLM21AG601SN1D | 8000 |
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