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키워드 [ insulated gate bipolar ] 경기 7 상품.
이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | RFQ | |
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IGBT 600V 22A 156W 절연 게이트 양극성 트랜지스터 IRGB10B60KDPBF |
IGBT NPT 600V 22A 156W 스루홀 TO-220AB
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인피네온
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반 병렬 다이오드와 MGW12N120D 파워 모스펫 트랜지스터 절연 게이트 양극성 트랜지스터 |
IGBT
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제조업자
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IRG4BC30UD 절연 게이트 양극성 트랜지스터 저 소비 전력 모스펫 |
IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
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제조업자
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IRG4BC20KDPBF 절연 게이트 양극성 트랜지스터 저 소비 전력 모스펫 |
IGBT 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
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제조업자
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다이오드 BAV99 전압 75V를 바꾸는 높은 컨덕턴스 IGBT 트랜지스터 / 고속도 |
다이오드는 1 쌍 직렬 접속 75 V 150mA 표면 부착 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3을 배치합니다
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제조업자
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고 정밀 필드 효과 트랜지스터 MBR20100CTP 단열 게이트 양극 트랜지스터 |
다이오드 어레이 1쌍 공통 음극 100V 스루홀 TO-220-3
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제조업자
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TC4421AVOA 집적 회로 칩 9A 고속 MOSFET 드라이버 |
로우 측 게이트 드라이버 IC 반전 8-SOIC
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마이크로칩
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