실리콘 NPN 범용 증폭기 고전압 트랜지스터 MMBT5551
제조 업체:
제조업자
기술:
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 160 Ｖ 600 마 100MHz 350 mW 표면 부착 SOT-23-3
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Bargain
결제 방법:
전신환
상술
기술:
바이폴라 트랜지스터 - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
타입:
바이폴라 트랜지스터 - BJT
이름:
트랜지스터
부품번호:
MMBT5551
패키지:
SOT-23-3
소량주문:
어서 오십시오
하이라이트:
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
도입
SOT-23 - 파워 트랜지스터와 달링턴
부품번호
BC807 Ｔ CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
전기 특성
|
엠에프르. # |
MMBT5551 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 트랜지스터 극성 | NPN |
| 구성 | 단일 |
| 수집기 에미터 전압 VCEO 맥스 | 160 Ｖ |
| 수집기 기본 전압 VCBO | 180 Ｖ |
| 방출기 기본 전압 VEBO | 6 Ｖ |
| 콜렉터-에미터 포화전압 | 0.2 Ｖ |
| 최대 DC 컬렉터전류 | 0.6 A |
| Pd - 전력 소모 | 325 mW |
| 이득 대역폭 제품 fT | 300 마하즈 |
| 최소 동작 온도 | - 55 Ｃ |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 민 DC 수집기 / 토대 게인 하페 | 10 마, 5 Ｖ에 있는 80 |
| 직류 전류 이득 하페 맥스 | 10 마, 5 Ｖ에 있는 250 |
| 상품 종류 | 브주츠 - 바이폴라 트랜지스터 |
Ta = 25' Ｃ (에서의 전기 특성 그렇지 않았다면 상세화되고지 않는다면)
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