INA219BIDCNR 전력 경로 운용 IC 전류 & 전기 모니터와 규제 기관 0-동향, 양성 디렉터리 전류 / 프어 달
battery charge management ic
,power management integrated circuit
INA219BIDCNR 전력 경로 운용 IC 전류 & 전기 모니터와 규제 기관 0-동향, 양성 디렉터리 전류 / 프어 달
1가지 특징
- 의미는 0에서부터 26 Ｖ까지 전압을 버스로 나릅니다
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보고서 전류와 전압과 권력
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16개의 프로그램 가능한 주소
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고정밀도 : 0.5% 온도 (INA219B) 에 (최대)
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필터 처리 옵션
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눈금 측정 레지스터
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SOT23-8과 SOIC-8 패키지
2 애플리케이션
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서버
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전기 통신 장비
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노트북 컴퓨터
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전원관리
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배터리 충전기
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용접 장비
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전원 공급기
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시험 장비
3가지 기술
INA219는 현재 단락이고 I2C-적합한 또는 SMBUS-적합한 인터페이스와 전력 모니터입니다. 장치는 프로그램 가능한 변환 시간과 필터링으로, 양쪽 단락 전압 강하와 버스 공급 전압을 모니터링합니다. 내부 곱셈기에 결합된 프로그램 가능한 눈금 측정 값이 암페어에 경향의 직접 판독을 가능하게 합니다. 추가적 곱하는 등록은 와트에 전력을 산정합니다. I2C-적합한 또는 SMBUS-적합한 인터페이스는 16개의 프로그램 가능한 주소를 특징으로 합니다.
INA219는 2 학년에 이용할 수 있습니다 : 와 비. 비 성적 버전은 더 높은 정확도와 더 높은 정확성 상술을 가지고 있습니다.
INA219는 0에서 26 Ｖ까지 다양할 수 있는 버스에 단락을 가로질러 느낍니다. 공급전류의 1 마의 최대를 끌어내면서, 장치는 단일 3- 내지 5.5-V 공급을 사용합니다. INA219는 -40' Ｃ에서부터 125' Ｃ까지 작동합니다.
장치 정보
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부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
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INA219 |
SOIC (8) |
3.91 밀리미터 × 4.90 밀리미터 |
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SOT-23 (8) |
1.63 밀리미터 × 2.90 밀리미터 |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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