BQ24172RGYR 전력 경로 관리 IC 1.6MHz 조정가능한 전압 고집적화
제조 업체:
제조업자
기술:
충전기 IC 리튬 이온 / 폴리머 24-vqfn (5.5x3.5)
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
출력 전압:
조정할 수 있습니다
출력 전류:
4 A
작동 공급 전압:
4.5 17 Ｖ에 대한 Ｖ
상품 종류:
배터리 관리
상태:
새롭고 원래인 원형 100%
스톡 상태:
주식에서
하이라이트:
battery charge management ic
,microchip battery management
도입
BQ24172RGYR 전력 경로 운용 IC 배터리 관리 1.6MHz 동기화 스더블유 방식 LiIon/Poly 방망이 치르크르
1가지 특징
- 4-A 통합된 엔-모스페트와 1.6-MHz 동시에 일어나는 전환 모드 충전기
- 최고 94%까지 효율
- 조정할 수 있는 과전압 보호에게 평판이 좋은 30-V 입력
- - 4.5-V 17-V 입력 작동 전압 범위에
- 배터리 챠지 볼테이지
- - bq24170 : 4.2 V/Cell과 1- 또는 2- 또는 3-셀
- - bq24172 : 조정할 수 있는 챠지 볼테이지
- 고집적화
- - 어댑터와 배터리 사이의 자동적인 전력 경로 셀렉터
- - 동적 전력 관리
- - 통합된 20-V 스위칭 MOSFET
- - 집적 부트스트랩 다이오드
- - 내부 디지털 연 선도
- 안전성
- - 열 조절 루프 드로틀 역 전류가 TJ = 120' Ｃ를 제한합니다
- - 온도 셧다운
- - 배터리 서미스터는 뜨거운 / 냉간 장입물,냉재 장입 일시 중단을 느끼고 배터리가 탐색합니다
- - 조정가능한 입력 과전압 보호
- - 싸이클 바이 싸이클 전류 한계
- 정확도
- - ±0.5% 챠지 볼테이지 규정
- - ±4% 충전 전류 규정
- - ±4% 입력전류 규정
- <15->
- <1>
2 애플리케이션
-
태블릿 PC
-
가지고 다닐 수 있는 데이터 캡처 단말기
-
가지고 다닐 수 있는 프린터
-
의료 진단학 장비
-
배터리 베이 충전기
-
배터리 백업 시스템
3가지 기술
bq2417x 장치는 초집적화되 입지 홀로 니켈-이온이고 두 통합된 엔-채널 파워 모스펫과 리튬-폴리머 전환 모드 배터리 충전기입니다. 장치는 입력전류와 충전 전류와 전압에 대한 고정밀성 규정으로 일정 주파 수 동시에 일어나는 PWM 제어부를 제공합니다. bq2417x는 밀접하게 단지 미리 설정된 온도 창에서 요금을 허락하기 위해 건전지 팩 온도를 주시합니다. bq24170은 (셀 핀에 의해 선택된) 1, 2, 또는 3 셀을 고발하고 bq24172가 최고 3까지 시리즈 Li+ 셀을 위해 조정할 수 있습니다.
장치 정보
| 부품번호 | 패키지 | 신체 크기 (NOM) |
bq2417
|
VQFN (24) |
5.50 밀리미터 × 3.50 밀리미터 |
bq2417
|
관련 상품
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
새로운 IR2110PBF와 원종축
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ:
Contact us