LM8365BALMF27/NOPB 전력 경로 운용 IC 감시 회로 마이크로피위르 언더프트그 센싱 회로
microchip battery management
,power management integrated circuit
LM8365BALMF27/NOPB 전력 경로 운용 IC 감시 회로 마이크로피위르 언더프트그 센싱 회로
1가지 특징
- 극단의 낮은 정지 전류 : VIN = 2.6 V에 있는 0.62 μA
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고정밀도 문턱 전압 (±2.5%)
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개방 드레인 출력
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외부 캐패시터 (0.1 μF과 130 부인 전형적인)에 의한 프로그램가능 출력 지연
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입력전압 범위 : 6 V에 대한 1 V
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MC33465로 적합한 핀-핀
2 애플리케이션
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휴대용 전자제품
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로우 밧데리 탐지
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마이크로프로세서 리셋 제어기들
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정전 지표
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여벌 전지 탐지
3가지 기술
LM8365 장치가 배터리로 움직이는 마이크로프로세서 기반 시스템의 용도에 이상적인 마이크로파워 부족 전압 센싱 회로이며, 그 곳에서 확장 배터리 수명은 주요 요건입니다.
2.7 V와 4.5 V의 문턱 전압은 액티브-로우, 개방 드레인 출력으로 이용 가능합니다. 이러한 장치는 전형적인 0.65 μA의 아주 낮은 정지 전류를 특징으로 합니다. LM8365는 극단의 낮은 대기 전류와 1 V아래로 엉뚱한 리셋동작, 시스템 설계자에 의해 프로그램을 짤 수 있는 시간 지연 출력과 특정한 리셋동작을 막기 위해 대단히 정확한 전압 기준, 정확한 한계와 비교기와 내장 히스테리시스를 특징으로 합니다.
장치 정보
부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
LM8365 |
SOT-23 (5) |
2.90 밀리미터 × 1.60 밀리미터 |

W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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