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LM5106MMX 전력 경로 운용 IC 프로그램 가능한 무효 시간 10-vssop -40 내지 125

제조 업체:
제조업자
기술:
하프-브리지 게이트 드라이버 IC 비반전 10-vssop
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
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결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
제조사 장비:
텍사스 인스트루먼츠 사
하위범주:
PMIC - 전원관리 ICs
상품 종류:
게이트 드라이버
작동 공급전류:
2.1 마
논리형:
TTL
폭:
3 밀리미터
하이라이트:

microchip battery management

,

power management integrated circuit

도입

LM5106MMX 전력 경로 운용 IC 프로그램 가능한 무효 시간 10-vssop -40 내지 125

1가지 특징

  • 양쪽 고전위측과 로우-측 엔-채널 MOSFET을 운전합니다
  • 1.8-A 최대 출력 싱크전류

  • 1.2-A 피크 출력 전원 전류

  • 띄우기 공급 전압은 118-V DC까지의 범위에 걸칩니다

  • 한 개의 TTL 호환 가능 입력

  • 프로그램 가능한 턴온 지연 (무효 시간)

  • 허용 입력 핀

  • 빠른 분기점 전달 지연 (전형적인 32 나노 초)

  • 15번 나노 초 상승과 드라이브 1000 pF와 10 나노 초 강하 시간

  • 서플라이 레일 하측 전압 로크 아웃

  • 저 전력 소모

  • 10-핀 WSON 패키지 (4 밀리미터 × 4 밀리미터)과 10- 핀 VSSOP 패키지

2 애플리케이션

  • 고체형 모터 드라이브

  • 하프-브리지와 풀-브리지 주파수 변환 장치

  • 두개 스위치 전방향 전력 변환기

3가지 기술

LM5106은 하이-볼타게 게이트 드라이버가 동기식 벅 또는 반파 브리지 구조에서 고전위측과 로우-측 엔-채널 모스페트스 모두 운전하기를 계획했다는 것 입니다. 떠있는 상부 드라이버는 100 V까지 궤도 전압과 함께 일할 수 있습니다. 한 개의 제어 입력은 TTL 신호 수준과 호환 가능하고 한 개의 외부 저항이 팽팽하게 조화된 턴온 지연 회로를 통하여 스위칭 전환 무효 시간의 프로그램을 짭니다. 강건한 레벨 시프트 기술은 저 소비 전력을 소비하는 동안 고속으로 작동하고, 깨끗한 출력 천이를 제공합니다. 하측 전압 로크 아웃 (UVLO)는 또한 낮은 쪽 또는 부트스트랩형 고전위측 공급 전압이 작동 임계값보다 낮을 때 게이트 드라이버를 무력하게 합니다. LM5106은 10 핀 VSSOP 또는 열띠게 강화한 10- 핀 WSON 플라스틱 패키지로 제공됩니다.

장치 정보

부품번호

패키지

신체 크기 (NOM)

LM5106

VSSOP (10)

3.00 밀리미터 × 3.00 밀리미터

WSON (10)

4.00 밀리미터 × 4.00 밀리미터

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