LM5106MMX 전력 경로 운용 IC 프로그램 가능한 무효 시간 10-vssop -40 내지 125
microchip battery management
,power management integrated circuit
LM5106MMX 전력 경로 운용 IC 프로그램 가능한 무효 시간 10-vssop -40 내지 125
1가지 특징
- 양쪽 고전위측과 로우-측 엔-채널 MOSFET을 운전합니다
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1.8-A 최대 출력 싱크전류
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1.2-A 피크 출력 전원 전류
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띄우기 공급 전압은 118-V DC까지의 범위에 걸칩니다
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한 개의 TTL 호환 가능 입력
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프로그램 가능한 턴온 지연 (무효 시간)
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허용 입력 핀
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빠른 분기점 전달 지연 (전형적인 32 나노 초)
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15번 나노 초 상승과 드라이브 1000 pF와 10 나노 초 강하 시간
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서플라이 레일 하측 전압 로크 아웃
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저 전력 소모
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10-핀 WSON 패키지 (4 밀리미터 × 4 밀리미터)과 10- 핀 VSSOP 패키지
2 애플리케이션
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고체형 모터 드라이브
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하프-브리지와 풀-브리지 주파수 변환 장치
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두개 스위치 전방향 전력 변환기
3가지 기술
LM5106은 하이-볼타게 게이트 드라이버가 동기식 벅 또는 반파 브리지 구조에서 고전위측과 로우-측 엔-채널 모스페트스 모두 운전하기를 계획했다는 것 입니다. 떠있는 상부 드라이버는 100 V까지 궤도 전압과 함께 일할 수 있습니다. 한 개의 제어 입력은 TTL 신호 수준과 호환 가능하고 한 개의 외부 저항이 팽팽하게 조화된 턴온 지연 회로를 통하여 스위칭 전환 무효 시간의 프로그램을 짭니다. 강건한 레벨 시프트 기술은 저 소비 전력을 소비하는 동안 고속으로 작동하고, 깨끗한 출력 천이를 제공합니다. 하측 전압 로크 아웃 (UVLO)는 또한 낮은 쪽 또는 부트스트랩형 고전위측 공급 전압이 작동 임계값보다 낮을 때 게이트 드라이버를 무력하게 합니다. LM5106은 10 핀 VSSOP 또는 열띠게 강화한 10- 핀 WSON 플라스틱 패키지로 제공됩니다.
장치 정보
부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
LM5106 |
VSSOP (10) |
3.00 밀리미터 × 3.00 밀리미터 |
WSON (10) |
4.00 밀리미터 × 4.00 밀리미터 |

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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