TLV1117-18IDCYR TLV1117CDCYR 전력 경로 운용 IC
microchip battery management
,power management integrated circuit
TLV1117-18IDCYR TLV1117CDCYR 전력 경로 운용 IC LDO 전압 조절기 고정된 LDO 볼트 레그
1가지 특징
- 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V와 조정할 수 있는 출력 전압 선택
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800 마의 출력 전류
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다수 전류 수준에 있는 특정한 드룹아웃 전압
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0.2% 선로 전압 변동률 최대
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0.4% 부하 변동분 최대
2 애플리케이션
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전자적 판매시점정보관리
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의학, 건강과 건강 응용
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프린터
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장치와 가정용 린네트류 제품
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텔레비전 셋탑 박스
3가지 기술
TLV1117 장치는 긍정적 저탈락 전압 조절기가 출력 전류의 최고 800까지 마를 제공하기를 계획했다는 것 입니다. 기기는 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V에 이용할 수 있고 조정할 수 있는 출력 전압 옵션. 모든 내부 회로는 1-V 입력 출력 차이아래로 작동하도록 설계됩니다. 더 낮은 부하 전류에서 감소하면서, 드룹아웃 전압은 800 마에 있는 1.3 V의 최대에 상세화됩니다.
장치 정보
발주 번호 |
(핀을) 패키징하세요 |
신체 크기 |
TLV1117DCY |
SOT-223 (4) |
6.50 밀리미터 × 3.50 밀리미터 |
TLV1117DRJ |
손흥민 (8) |
4.00 밀리미터 × 4.00 밀리미터 |
TLV1117KVU |
TO-252 (3) |
6.60 밀리미터 × 6.10 밀리미터 |
TLV1117KCS |
TO-220 (3) |
10.16 밀리미터 × 8.70 밀리미터 |
TLV1117KCT |
TO-220 (3) |
10.16 밀리미터 × 8.59 밀리미터 |
TLV1117KTT |
DDPAK, TO-263 (3) |
10.18 밀리미터 × 8.41 밀리미터 |

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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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