TLV1117LV12DCYR TLV1117LV15DCYR TLV1117LV33DCYR 전력 경로 운용 IC LDO 전압 조절기 1A, Pos 픽스 프포그 LDO
microchip battery management
,power management integrated circuit
TLV1117LV12DCYR TLV1117LV15DCYR TLV1117LV33DCYR 전력 경로 운용 IC LDO 전압 조절기 1A, Pos 픽스 프포그 LDO
1가지 특징
- 1.5% 전형적 정확도
오우 낮은 IQ : 100 μA (최대)
- 500 배 표준 1117 장치보다 낮습니다
오우 VIN :2Vto5.5V
- 절대적인 최대 VIN = 6 Ｖ
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0-mA 출력 전류로 마구간에서 사세요
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로드롭아웃 :455mVat1AforVOUT =3.3V
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높은 PSRR : 1 킬로 헤르츠에 있는 65 dB
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최소 확보된 전류 한계 : 1.1 A
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비용 효율적 세라믹 콘덴서로 마구간에서 사세요 :
- 0-Ω ESR로
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온도 범위 : 125' Ｃ에 대한 -40' Ｃ
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온도 셧다운과 과전류 보호
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SOT-223 패키지에 이용할 수 있습니다
- 이용 가능한 전압 선택의 전체 목록을 위한 시 기계적이, 패키징과 이 문서의 끝에서 지시할 수 있는 정보.
2 애플리케이션
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셋 톱 박스
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텔레비전과 모니터
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PC 주변 기기, 노트북, 메인보드
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모뎀과 다른 통신 제품
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스위치 전원 조절 후
3가지 기술
저탈락 (LDO) 선형 정류기의 TLV1117LV 시리즈는 인기있는 TLV1117 전압 조절기에 대한 저입력 전압 버전입니다.
TLV1117LV는 기기를 저-대기 전류를 매우 지시하는 앱에 적합하게 하면서, 전통적 1117 전압 조절기 보다 500 번 낮은 정지 전류를 소비하는 극단적으로 저전력 장치입니다. 라이도스의 TLV1117LV 가족은 부하 전류의 0 마로 또한 안정적입니다 ; 어떤 최소 부하 요구가 있다고 규제 기관이 1에 속하여 큰 흐름뿐만 아니라 대기 동안 초소형 부하를 강화할 이상적 선택 애플리케이션용이 장치를 만들지 않습니다 한 정상 작동 동안. TLV1117LV는 부하 전류 요구조건이 500 마 이상까지 1 이하 마에서 변할 때 매우 출력 전압의 작은 규모 언더슈트와 오버슈트의 결과를 초래한 우수한 선과 부하 과도현상 성능을 제공합니다.
정확성 밴드갭과 에러 증폭기는 1.5% 정확도를 제공합니다. 매우 높은 전원 공급장치 제거율 (PSRR)는 교환 조절기 뒤에 포스트 규제를 위한 장치의 사용을 가능하게 합니다. 다른 중요한 특징은 저출력 소음과 저탈락 전압을 포함합니다.
장치는 0-Ω 등가 직렬 저항 (ESR) 축전기로 안정적이기 위해 내부로 보상됩니다. 이러한 주요 장점은 비용 효율적, 소형 세라믹 콘덴서의 사용을 가능하게 합니다. 또한 바람직하면 더 높은 바이어스 전압과 고온 감소 정격을 가지고 있는 비용 효과적인 캐패시터는 사용될 수 있습니다.
TLV1117LV 시리즈는 SOT-223 패키지에 이용할 수 있습니다.
장치 정보
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부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
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TLV1117LV |
SOT-223 (4) |
6.50 밀리미터 Ｘ 3.50 밀리미터 |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축
새로운 IR2110PBF와 원종축
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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