microchip battery management
,power management integrated circuit
TPS56221DQPR 전력 경로 관리 IC 스위칭 전압 조절기 4.5-14Vinp,25A 높은 크킨트 동기화 감소
1가지 특징
- 4.5-V 내지 14-V 입력 전압은 이릅니다
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세력 블록 기술을 장려합니다
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25-A 출력 전류까지
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300 킬로 헤르츠와 500 킬로 헤르츠와 1 마하즈의 고정 주파수 선택
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고전위측과 로우-측 MOSFET RDS (계속) 감지
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프로그램 가능한 연시동
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1% 정확도와 600-mV 기준 전압
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전압 모드는 피드-포워드로 통제합니다
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미리 바이어싱시킨 출력을 지원합니다
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온도 셧다운
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22-핀 5 밀리미터 × 6 밀리미터 PQFN 파워패드티엠 패키지
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SWIFTTM 전기 제품 문서화를 위해 http://www.ti.com/swift를 보세요
2 애플리케이션
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부하 (POL) 전력 모듈의 포인트
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텔레콤과 네트워크 응용프로그램을 위한 고밀도 직류-직류 변환기
3가지 기술
TPS56221 장치는 4.5 V부터 14 V까지 공급으로부터 작동하도록 설계된 효율이 높고 높은 현재 동기식 벅 변환기입니다. 장치는 25 A까지 로드에 있는 0.6 V만큼 낮게 출력 전압을 생산할 수 있습니다. 통합된 네스펫텀 파워 모스펫은 작은 발자국과 사용의 편리함을 제공합니다.
장치는 전압 변환을 입력하기 위해 즉시 대응하는 전압 전진 이송 보상으로 전압 방식 통제를 구현합니다.
TPS56221은 열띠게 강화한 22개 핀 PQFN (DQP) 파워패드 패키지에 이용할 수 있습니다.
연시동과 과전류 보호 (OCP) 수치와 루프 보상을 포함하여 기기는 다양한 유저 프로그래머블 기능으로 설계 유연성을 제공합니다. OCP 수준은 ILIM 핀부터 접지 도통까지 연결된 한 개의 외부 저항에 의해 프로그램을 짭니다. 초기 전원 연결 시퀀스 동안, 장치는 교정 사이클에 들어가고, ILIM 핀에 전압을 측정하고, 내부 OCP 전압 레벨을 정합니다. 작업 동안, 프로그램화된 OCP 전압 레벨은 그것이 계속 과전류 상태가 있을지 결정할 FET에 로우-측을 가로질러 전압 강하와 비교됩니다. 그리고 나서 결점이 제거될 때까지 그것은 중단 / 재가동 사이클에 들어갑니다.
장치 정보
부품번호 | 패키지 | 신체 크기 (NOM) |
TPS56221 | LSON-CLIP (22) | 6.00 밀리미터 × 5.00 밀리미터 |

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FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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