power management integrated circuit
,battery charge management ic
TPS54202DDCR 전력 경로 운용 IC 스위칭 전압 조절기 진주로 만드는 II
1가지 특징
- 4.5-V 내지 28-V 넓은 입력전압 범위
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2-A를 위한 통합된 148-mΩ과 78-mΩ MOSFET,
연속출력전류
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낮은 2-μA 중단, 45-μA 정지 전류
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내부의 5-mS 연시동
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고정된 500-kHz 전환 주파수
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주파수 대역 확산이 EMI를 감소시킵니다
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진보적 Eco -모데트텀 펄스 스킵
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피크치 전류 모드 제어
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내부 루프 배상
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히컵 드 보호와 양쪽 MOSFET을 위한 과전류 보호
2 애플리케이션
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12-V, 24-V 분포된 파워 버스 공급
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업계 응용
3가지 기술
TPS54202는 4.5-V 내지 28-V 입력전압 범위, 2-A 동기식 벅 변환기입니다. 장치는 부품수를 감소시키기 위해 두 통합된 스위칭 FET, 내부 루프 배상과 5 부인 내부의 연 선도를 포함합니다.
MOSFET을 통합하고 술고래 23 패키지를 사용함으로써, TPS54202는 PCB에 고출력 밀도를 달성하고, 작은 발자국을 제공합니다.
진보적 에코 모드 실행은 저 부하 효율을 극대화하고, 전력 손실을 줄입니다.
TPS54202에서, 주파수 대역 확산 작동은 EMI 감소를 위해 도입됩니다.
양쪽 고전위측 MOSFET에서 싸이클 바이 싸이클 전류 한계는 과부하 조건에서 컨버터를 보호하고, 현재인 도망하여서 방해가 되는 로우-측 MOSFET 자유로운 전류 한계에 의해 강화됩니다. 과전류 상태가 현재보다 더 오랫동안 지속했으면 히컵 드 보호는 일어납니다.
장치 정보
부품번호 | 패키지 | 신체 크기 (NOM) |
TPS54202 | SOT-23(6) | 1.60 밀리미터 × 2.90 밀리미터 |

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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