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TPS51206DSQR 전력 경로 경영 IC PMIC 2A 성수기 싱크 / 원천 DDR 임기 레그

제조 업체:
제조업자
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:

상술
개발 키트:
TPS51206EVM-745
브랜드:
텍사스 인스트루먼츠 사
작동 공급전류:
170 uA
상품 종류:
전원관리는 전공했습니다 - PMIC
하위범주:
PMIC - 전원관리 ICs
단일 가중치:
0.000413 온스
하이라이트:

power management integrated circuit

,

battery charge management ic

도입

TPS51206DSQR 전력 경로 경영 IC PMIC 2A 성수기 싱크 / 원천 DDR 임기 레그

1가지 특징

  • 공급기 입력 전압 : 3.3-V 철도와 5-V 철도를 지원합니다
  • VLDOIN 입력전압 범위 : 3.5 V에 대한 VTT+0.4 V

  • VTT 종결 규제 기관

    • - 출력 전압 레인지 : 0.5 0.9 V에 대한 V

    • - 2-A 성수기 싱크와 전원 전류

    • - 10-μF MLCC 출력 커패시터를 단지 요구합니다

    • - ±20 mV 정확도

  • VTTREF는 참조를 버퍼링했습니다

    • - VDDQ/2 ± 1% 정확도

    • - 10-mA 싱크와 전원 전류

  • S3에서 하이-z와 S3과 S5 입력과 S4와 S5에서 소프트 스탑을 지원합니다

  • 과온도 보호

  • 10-핀, 2 밀리미터 × 2 밀리미터 손흥민 (DSQ)는 패키징합니다

2 애플리케이션

  • DDR2, DDR3, DDR3L과 DDR4 메모리 전원 공급기

  • SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135와 HSTL 종결

  • 텔레콤과 데이터콤, GSM 기지국, LCD TV와 PDP-TV, 복사기와 프린터, 셋탑 박스

3가지 기술

TPS51206 장치는 싱크고 VTTREF 버퍼링된 기준 출력과 원천 더블 데이트 레이트 (DDR) 종결 규제입니다. 그것은 특히 공간이 주요 고려 사항인 저입력 전압, 저비용, 낮은 외부 부품수 시스템을 위해 설계됩니다. 장치는 빠른 일시적인 것 응답을 유지하고, 요업 출력 커패시턴스 중 1 × 10-μF만을 요구합니다. 장치는 DDR2, DDR3과 저전력 DDR3 (DDR3L)를 위해 멀리 있는 감지 기능과 모든 동력 요건을 지원하고 DDR4 VTT가 버스를 탑니다. VTT 전기 성능은 ±2-A 성수기입니다. (RAM에 중단되세요) S3 국가에서 VTT를 하이-z에 두고 S4 또는 S5 국가에서 VTT와 VTTREF를 방출하면서, 기기는 모든 DDR 전원 상태를 지원합니다 (디스크에 중단되세요).

TPS51206 기기는 10-핀, 2 밀리미터 × 2 밀리미터 손흥민 (DSQ) 파워패드티엠 패키지에 이용할 수 있고 -40' C에서부터 105' C까지 특정합니다.

장치 정보

부품번호 패키지 신체 크기 (NOM)
TPS51206 WSON (10) 2.00 밀리미터 × 2.00 밀리미터
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