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TPS51216RUKR 전력 경로 운용 IC 교환기들 기억력 Sol 동기화 달러 제어기

제조 업체:
제조업자
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:

상술
출력 전류 장비:
20 A
출력 전압:
600 mV
입력 전압:
28 V에 대한 3 V
전환 주파수:
400 킬로 헤르츠
토폴로지:
책임
패키징:
하이라이트:

power management integrated circuit

,

battery charge management ic

도입

TPS51216RUKR 전력 경로 운용 IC 교환기들 기억력 Sol 동기화 달러 제어기

특징

  • 오우 동기식 벅 제어기 (VDDQ)
  • - 변환 전압 범위 : 28 V에 대한 3 V

  • - 출력 전압 레인지 : 0.7 1.8 V에 대한 V

  • - 0.8% VREF 정확도

  • - 빠른 일시적인 것 응답을 위한 D-CAPTM 방식

  • - 선택 가능한 300 kHz/400 킬로 헤르츠 전환 주파수

  • - 조명에 있는 최적화된 효율과 자동 스킵 기능과 무거운 짐

  • - 소프트 오프를 S4/S5 주에 지지합니다

  • - OCL/OVP/UVP/UVLO 보호

  • - 파워굿 출력

  • 2-A ldo(vtt), 버퍼링된 참조(vttref)

    • - 2-A (최대) 싱크와 전원 전류

    • - 세라믹 출력 커패시턴스의 유일한 10-μF을 요구합니다

    • - 버퍼링했고 낮게 노이즈를 냅니다, 10-mA VTTREF 생산량

    • - 0.8% VTTREF, 20-mV VTT 정확도

    • - S3에서 지원 하이-z와 S4/S5의 소프트 오프

  • 온도 셧다운

  • 20-핀, 3 밀리미터 × 3 밀리미터, QFN 패키지

애플리케이션

  • DDR2/DDR3/DDR3L 메모리 전원 공급기

  • SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135와 HSTL 종결

기술

TPS51216은 DDR2, DDR3을 위한 완전한 전원 공급기와 가장 낮은 전체 비용과 최소 공간의 DDR3L 기억장치 시스템을 제공합니다. 그것은 동기식 벅 레귤레이터 제어기 (VDDQ)를 2-A 싱크 / 원천 추적 LDO (VTT)와 버퍼링된 저소음 참조 (VTTREF)와 통합합니다. TPS51216은 사용의 편리함과 빠른 일시적인 것 응답을 위한 300 kHz/400 킬로 헤르츠 주파수와 연결된 D-CAPTM 방식을 사용합니다. VTTREF는 우수한 0.8% 정확도 이내에 VDDQ/2를 추적합니다. 2-에게 싱크 / 원천 피이크 전류 역량을 제공하는 VTT는 요업 전기 용량의 10-μF을 단지 요구합니다. 게다가 헌신적 LDO 공급기 입력은 이용 가능합니다.

TPS51216은 우수한 전원 공급기 성능과 더불어 부유한 유용한 기능을 제공합니다. S4/S5 주에서 S3에서 하이-z에 있는 VTT와 VDDQ를 방출하면서, VTT와 VTTREF (부드러운 꺼짐 상태)을 위치시키면서, 그것은 굴신력 국가관리를 지원합니다. 감지, OVP / UVP / UVLO와 온도 셧다운 보호 (의) 로우-측 MOSFET RDS와 프로그램가능 OCL은 또한 이용 가능합니다.

TPS51216은 20개 핀, 3 밀리미터 × 3 밀리미터, QFN 패키지에 이용할 수 있고, -40' C부터 85' C까지 대기 온도를 위해 상세화됩니다.

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