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TPS51716RUKR 전력 경로 운용 IC PMIC Mem Pwr 해결책 동기화 씨엔틀르 2A LDO

제조 업체:
제조업자
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:

상술
작동 온도 범위:
- + 85 C에 대한 40 C
패키징 키트:
타입:
LDO 외에 감소 제어기
패키지 / 건:
WQFN-20
증가하는 방식:
SMD / SMT
입력전압 범위:
28 V에 대한 3 V
하이라이트:

power management integrated circuit

,

battery charge management ic

도입

TPS51716RUKR 전력 경로 운용 IC PMIC Mem Pwr 해결책 동기화 씨엔틀르 2A LDO

1가지 특징

  • 동기식 벅 제어기 (VDDQ)
  • - 변환 전압 범위 : 3 내지 28 V

  • - 출력 전압 레인지 : 0.7 1.8 V에

  • - 0.8% VREF 정확도

  • - 요업 출력 커패시터를 위한 D-CAP2TM 방식

  • - 선택 가능한 500-kHz/670-kHz 전환 주파수

  • - 조명에 있는 최적화된 효율과 자동 스킵 기능과 무거운 짐

  • - 소프트 오프를 S4/S5 주에 지지합니다

  • - OCL/OVP/UVP/UVLO 보호

  • - 파워굿 출력

  • 2-A LDO (VTT), 버퍼링된 참조 (VTTREF)

    • - 2-A (최대) 싱크와 전원 전류

    • - 세라믹 출력 커패시턴스의 유일한 10-μF을 요구합니다

    • - 버퍼링했고 낮게 노이즈를 냅니다, 10-mA VTTREF 생산량

    • - 0.8% VTTREF, 20-mV VTT 정확도

    • - S3에서 지원 하이-z와 S4/S5의 소프트 오프

  • 온도 셧다운

  • 20-핀, 3 밀리미터 × 3 밀리미터, WQFN 패키지

2 애플리케이션

  • DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR3과 DDR4 메모리 전원 공급기

  • SSTL_18, SSTL_15, SSTL_135와 HSTL 종결

3가지 기술

TPS51716은 가장 낮은 전체 비용과 최소 공간에서 DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR3과 DDR4 기억장치 시스템에게 완전한 전원 공급기를 제공합니다. 그것은 동기식 벅 레귤레이터 제어기 (VDDQ)를 2-A 싱크 / 원천 추적 LDO (VTT)와 버퍼링된 저소음 참조 (VTTREF)와 통합합니다. TPS51716은 외부 보정회로 없이 요업 출력 커패시터를 지원하는 500 킬로 헤르츠 또는 670개 킬로 헤르츠 동작 주파수와 연결된 D-CAP2 방식을 사용합니다. VTTREF는 우수한 0.8% 정확도로 VDDQ/2를 추적합니다. 2-A 싱크 / 원천에게 최대 전기 성능을 제공하는 VTT는 요업 전기 용량 중의 오직 10 μF을 요구합니다. 게다가 장치는 헌신적 LDO 공급기 입력을 특징으로 합니다.

TPS51716은 우수한 전원 공급기 성능과 더불어 부유한, 유용한 기능을 제공합니다. S4/S5 주에서 S3에서 하이-z에 있는 VTT와 VDDQ를 방출하면서, VTT와 VTTREF (부드러운 꺼짐 상태)을 위치시키면서, 그것은 굴신력 국가관리를 지원합니다. 그것은 감지, OVP / UVP / UVLO와 온도 셧다운 보호 (의) 로우-측 MOSFET RDS와 프로그램 가능한 OCL을 포함합니다.

TI는 20개 핀, 3 밀리미터 × 3 밀리미터, WQFN 패키지로 TPS51716을 제공하고, -40' C와 85' C 사이의 대기 온도 범위를 위해 그것을 상세화합니다.

장치 정보

부품번호 패키지 신체 크기 (NOM)
TPS51716 WQFN (20) 3.00 밀리미터 × 3.00 밀리미터
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