battery charge management ic
,microchip battery management
vol 에 TPD1S514-1YZR 전력 경로 운용 IC PMIC USB 충전기
1가지 특징
- 30-V DC에 달하는 vbus_con에 있는 과전압 보호
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정확성 OVP ( <>
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낮은 론 나페트 스위치는 호스트와 장입 모드를 지원합니다
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헌신적 vbus_power 핀은 방전된 배터리 상황 하에 탄력적 전원 켬 옵션을 제공합니다
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VBUS 라인을 위한 일시적인 보호 :
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- 국제전기기술위원회 61000-4-2 접촉 방출 ±15
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- 국제전기기술위원회 61000-4-2 공기 간극 방출 ±15 kV
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- 국제전기기술위원회 61000-4-5개방 전압 100 V
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- 정확성 클램프 회로는 vbus_sys 전압을 제한합니다 < VOVP="">
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순응한 USB 유입 전류
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온도 셧다운 (TSD) 특징
2 애플리케이션
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휴대폰
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태블릿
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전자책
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휴대용 미디어 재생 장치들
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5-V, 9-V, 및 12-V 전원 레일
3가지 기술
TPD1S514 가정들은 5-V, 9-V 또는 12-V를 위한 단일칩 보호 솔루션의 USB VBUS 전선 또는 다른 파워 버스를 구성합니다. vbus_con 핀에 있는 어떠한 과도한 전압 조건에게서도 내부 시스템 회로를 보호하는 동안 양방향성 나페트 스위치는 양쪽 충전과 호스트 모드에서 안전전류 유량을 보증합니다. vbus_con 핀에, 이 장치는 30-V DC까지 전압 보호 위에서 취급될 수 있습니다. 낮은 EN 핀 토글 뒤에, TPD1S514 가정에서 어떠한 장치도 부드러운 기동 지연을 통하여 나페트를 켜기 전에 20명의 부인을 기다립니다.
TPD1S514 가족을 위한 전형적 애플리케이션 인터페이스는 일반적으로 휴대폰, 태블릿, 에책과 휴대용 미디어 재생 장치들에서 발견된 USB 커넥터에 VBUS 라인입니다. TPD1S514 가족은 또한 5-V 또는 9- V 또는 12-V 전원 레일을 위한 인터페이스를 사용하여 어떠한 시스템에도 적용될 수 있습니다.
장치 정보
장치 이름 | 패키지 | 신체 크기 (NOM) |
TPD1S514x | WCSP (12) | 1.29 밀리미터 × 1.99 밀리미터 |

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FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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