TPS3510DR 전력 경로 운용 IC 감시 회로 3.5V Pwr 공급 마트르
battery charge management ic
,microchip battery management
TPS3510DR 전력 경로 운용 IC 감시 회로 3.5V Pwr 공급 마트르
특징
Ｄ 과전압 보호와 12 Ｖ, 5 Ｖ, 3.3 Ｖ를 위한 잠금
Ｄ 부족 전압 보호와 5 Ｖ와 3.3 Ｖ를 위한 잠금
개방 드레인 출력단과 Ｄ 결함 예방 출력
전력 상태 양호 입력을 위한 Ｄ 개방 드레인 전력 상태 양호 출력 신호, 3.3 Ｖ와 5 Ｖ
Ｄ 전력 상태 양호 지연 ; 300 부인 TPS3510, 150 부인 TPS3511
5-V를 위한 Ｄ 75 부인 지연과 3.3-V 전원 공급기 단락 턴온 보호
FPO 분기점 지연 Ｄ 38 부인 PSON 제어에 대한 Ｄ 2.3 부인 PSON 제어는 디바운싱됩니다
Ｄ 73-μs 폭 소음 결함 제거
4 Ｖ부터 15 Ｖ까지 Ｄ 넓은 공급 전압 범위
기술
TPS3510/1은 PC 스위칭 파워 서플라이 시스템의 외부 부품을 최소화하도록 설계됩니다. 그것은 보호 회로, 전력 상태 양호 지표, 결함 예방 생산 (FPO)와 PSON 통제를 제공합니다.
과전압 보호 (OVP)는 3.3 Ｖ와 5 Ｖ와 12 Ｖ를 모니터링합니다 (12개 Ｖ 신호가 VDD 핀을 통해 탐색합니다). 부족 전압 보호 (UVP)는 3.3 Ｖ와 5 Ｖ를 모니터링합니다. OV 또는 UV 상황이 발견될 때, 전력 상태 양호 생산 (PGO)는 낮게 설정되고 FPO가 높이 걸쇠가 걸립니다. 낮은 것에서의 보호가 걸쇠를 건 높은 리셋에 PSON. UVP 기능은 PSON이 낮고 튀어오르지 않게 하는 후에 가능한 75 부인입니다. 게다가, 분기점에 있는 2.3번 부인 지연 (그리고 추가적 38 부인 디바운스가) 있습니다. 턴온 동안 지연될 수는 없다.
생산이 준비될 때 전력 상태 양호 특징은 PGI, 3.3 Ｖ와 5 Ｖ를 모니터링하고 전력 상태 양호 신호를 발표합니다. TPS3510/1은 -40' Ｃ부터 85' Ｃ까지 작동을 특징으로 합니다.
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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