TPS73601DBVR 전력 경로 운용 IC LDO 전압 조절기 두껑 없는 NMOS 400mA
power management integrated circuit
,microchip battery management
TPS73601DBVR 전력 경로 운용 IC LDO 전압 조절기 두껑 없는 NMOS 400mA
1가지 특징
- 어떤 출력 커패시터 또는 축전기의 임의의 값 또는 타입 없이 안정적입니다
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1.7 V에서 5.5 V의 입력전압 범위
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극히 낮은 드룹아웃 전압 : 75 mV typ
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선택적 출력 축전기를 가진 우수한 부하 과도현상 응답
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새로운 NMOS 토폴로지는 역 누설 전류를 전달합니다
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저소음 : 30 μVRMS typ (100 킬로 헤르츠에 대한 10 Hz)
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0.5% 초기 정확도
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라인과 부하와 온도 에 1% 전체적인 정확도
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셧다운 모드로 1 μA 이하 최대 IQ
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온도 셧다운과 특정한 민 / 맥스 전류 한계 보호
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다중 출력 전압 버전에 이용할 수 있습니다
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- 1.20 V에서 5.0 V의 고정된 출력
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- 1.20 V부터 5.5 V까지 조정할 수 있는 출력
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- 이용 가능한 맞춘 출력
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2 애플리케이션
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가지고 다닐 수 있는 / 배터리로 움직이는 장비
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조절 후 스위칭 공급을 위해
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VCO와 같은 잡음에 민감한 회로
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드스프스, 프피가스, 아식스와 마이크로프로세서를 위한 부하 변동분의 핵심
3가지 기술
저탈락 (LDO) 선형 전압 레귤레이터의 TPS736xx 가족은 새로운 토폴로지를 사용합니다 : 전압 종동부 구성에서 NMOS 패스 소자. 이 토폴로지는 낮은 ESR로 출력 커패시터를 사용하여 안정적이고, 심지어 축전기 없이 수술을 허락합니다. 그것은 또한 높은 반대 봉쇄에게 거의 출력 전류의 모든 가치에 걸쳐 일정한 (낮은 역류)과 그라운드 단자 전류를 제공합니다.
TPS736xx는 매우 낮은 드룹아웃 전압과 낮은 그라운드 단자 전류를 전달하는 동안고 정밀도를 만들기 위해 진보적 BICMOS 프로세스를 사용합니다. 전류 소모가, 가능해지지 않을 때, 1 μA 이하 이고 휴대용 애플리케이션에 이상적입니다. 극단적으로 낮은 출력 노이즈 (0.1-μF CNR와 30 μVRMS)는 VCO를 강화해서 이상적입니다. 이러한 장치는 온도 셧다운과 폴드백 전류 한계에 의해 보호받습니다.
장치 정보
부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
TPS736xx |
SOT-23 (5) |
2.90 밀리미터 X 1.60 밀리미터 |
SOT-223 (6) |
6.50 밀리미터 X 3.50 밀리미터 |
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VSON (8) |
3.00 밀리미터 X 3.00 밀리미터 |

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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