LT3470ETS8#TRPBF 전력 경로 운용 IC 스위칭 전압 조절기 300mA, 딘소트의 40V 마이크로파워 단계적으로 감소하는 레그
microchip battery management
,battery charge management ic
LT3470ETS8#TRPBF 전력 경로 운용 IC 스위칭 전압 조절기 300mA, 딘소트의 40V 마이크로파워 단계적으로 감소하는 레그
페리처스
엔 낮은 정지 전류 : 12VIN 내지 3.3VOUT 엔 통합된 상승과 캐치 다이오드에 있는 26μA
엔 입력 범위 : 4V 내지 40V
엔 저출력 잔물결 : <10mv>
엔 <1>
엔 출력 전압 : 1.25V 내지 16V 엔 200mA 출력 전류
엔 히스테레틱 모드 제어
- 저 부하에 있는 저리플 폭발 Mode® 수술
- 더 높은 로드에 있는 연속작동
50mm2 엔 솔루션 크기
엔 로우는 열띠게 (0.75mm) 3 밀리미터 × 2 밀리미터를 돋보이게 합니다
강화한 8-리드 DD와 1 밀리미터 딘소트 패키지
애플리케이션
휴대용 제품 엔 분포된 공급 조절 엔 산업 용품을 위한 엔 자동차 배터리 규제 엔 전력
엔 월 변환기 규정
묘사하세요
LT®3470은 300mA 전원 스위치, 캐치 다이오드와 부스트 다이오드를 저자세 3 밀리미터 × 2 밀리미터 DD와 트힌즈곳텀 패키지로 통합시키는 마이크로파워 단계적으로 감소하는 DC / DC 콘 베터입니다. LT3470은 저리플 생산량을 최고 200mA까지 로드에게 제공하는 동안 작은 인둑 바위산과 축전기의 사용을 허용하기 위해 버스트 모드와 연속작동을 결합시킵니다.
4V 내지 40V의 그것의 넓은 입력 범위와 함께, LT3470은 2개 전지 Li 이온 배터리에서 규제되지 않은 월 변환기와 납산 축전지까지, 폭 넓게 다양한 전원들을 규제할 수 있습니다. 제로 전류 셧다운 모드가 배터리 전력 공급 시스템에서 입력 소스, 단순화된 전원관리에서 부하를 차단하는 동안 규제에서 정지 전류는 전형적인 애플리케이션에 단지 26μA입니다. 고속 전류 제한과 이력 제어는 심지어 40V 입력에, 단락시킨 출력에 대해 LT3470과 외부 부품을 보호합니다.

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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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