전류 한계와 LT4363CDE-2#PBF LT4363HMS-2#PBF LT4363IMS-2#TRPBF 전력 경로 경영 IC 방해물. 자동 재시도
microchip battery management
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전류 한계와 LT4363CDE-2#PBF LT4363HMS-2#PBF LT4363IMS-2#TRPBF 전력 경로 경영 IC 방해물. 자동 재시도
페리처스
엔은 VCC 클램프 엔 넓은 작동 전압 범위로 100V 위에서 상승에 견딥니다 : 4V 내지 80V
엔 조정할 수 있는 출력 클램프 전압
엔은 과전류 제한값을 금식시킵니다 : 5μs보다 적습니다
-60V에 대한 엔 역방향 입력 보호
비교기 임계값 엔 조정할 수 있는 UV / OV
엔 낮은 7μA 중단 경향
엔 정지 핀은 -60V 내지 100V에 견딥니다
엔 조정할 수 있는 결점 타이머
엔 제어 엔-채널 MOSFET
결점, LT4363-2 동안 엔 1% 이하 재시도 듀티 싸이클
12-핀 (4mm × 3 밀리미터) DFN, 12-핀 MSOP과 16-핀 SO 패키지에 이용할 수 있는 엔
애플리케이션
엔 자동차 / 아비오닉크 / 산업적 낙뢰 보호
엔 가온 SwapTM/Live 삽입
배터리 가동 시스템을 위한 엔 상측 스위치
엔 본질 안전 애플리케이션
기술
LT®4363 해일 방해물은 높은 전압 과도에게서 로드를 보호합니다. 그것은 외부 엔-채널 MOSFET의 게이트를 제어함으로써, 차량에서 부하 덤프와 같은 과전압 이벤트 동안 출력을 규제합니다. 출력은 로드가 작용을 계속할 수 있게 허락하는 안전한 값으로 제한됩니다. LT4363은 또한 과전류 오류에 대하여 보호하기 위해 SNS와 아웃 핀 사이의 전압 강하를 주시합니다. 내부 증폭기는 50mV에 현재 센스 레지스터를 가로질러 전압을 제한합니다. 각각 장애 상태에서, 타이머는 MOSFET 스트레스에 반비례하여 시작됩니다. 타이머가 끝나기 전에 FLT 방식 핀은 임페드- ing 전원을 내림을 경고하도록 낮아서 당깁니다. 만약 상태가 지속하면, MOSFET이 꺼집니다. LT4363-2가 쿨다운 주기 뒤에 재시작하지만 LT4363-1은 리셋까지 떨어져서 남습니다.
두 정확성 비교기는 (OV) 과전압을 위한 입력 공급기와 부족 전압 (UV) 상태를 모니터링할 수 있습니다. 잠재성이 UV 한계보다 낮을 때, 외부 MOSFET은 떨어져서 유지됩니다. 계속 만약 입력 공급 전압이 OV 한계 위에 있다면, MOSFET이 되돌아가도록 허용되지 않습니다. 전압 강하와 전력 손실을 감소시키면서, 연속된 MOSFET은 역방향 입력 보호를 위한 쇼트키 다이오드대신에 사용될 수 있습니다. 정지 핀은 중단 동안 7μA하로 정지 전류를 감소시킵니다.

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dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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