LM5109BMAX/NOPB는 안녕 경로 관리 IC 게이트 드라이버를 강화합니다 프트그 1A 성수기 하프 브리지 게이트 드브르
power management integrated circuit
,microchip battery management
LM5109BMAX/NOPB는 안녕 경로 관리 IC 게이트 드라이버를 강화합니다 프트그 1A 성수기 하프 브리지 게이트 드브르
1가지 특징
- 양쪽 고전위측과 로우-측 엔-채널 MOSFET을 운전합니다
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1-A 피크 출력전류 (1.0이지 싱크와 1.0-A 원천)
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독립적 TTL과 CMOS로 입력 호환성
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108-V DC에 대한 띄우기 공급 전압
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빠른 전달 속도 (전형적인 30 나노 초)
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드라이브 1000-pF는 15 나노 초 상승과 하강 시간을 싣습니다
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우수한 증식 지연 매칭 (전형적인 2 나노 초)
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서플라이 레일 하측 전압 로크 아웃
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저 전력 소모
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8-핀 SOIC과 열강화 8-핀 WSON 패키지
2 애플리케이션
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전류 공급, 푸쉬풀 방식 변환기
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하프-브리지와 풀-브리지 주파수 변환 장치
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고체형 모터 드라이브
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2스위치 전방향 전력 변환기
3가지 기술
LM5109B 장치는 동기식 벅 또는 반파 브리지 구조에서 고전위측과 로우-측 엔-채널 모스페트스 모두 운전하도록 설계된 비용 효율적 고전압 게이트 드라이버입니다. 떠있는 상부 드라이버는 90 Ｖ까지 궤도 전압과 함께 일할 수 있습니다. 출력은 독립적으로 비용 효율적 TTL과 CMOS 호환성 입력 임계치로 제어됩니다. 저 소비 전력을 소비하고 제어 입력 논리에서부터 고전위측 게이트 드라이버까지 깨끗한 레벨 전이를 제공하는 동안 강건한 레벨 시프트 기술은 고속으로 작동합니다. 하측 전압 로크 아웃은 양쪽 로우-측과 고전위측 전원 레일에 제공됩니다. 기기는 8 핀 SOIC에 이용할 수 있고, 열띠게 8개 핀 WSON 패키지를 강화했습니다.
장치 정보
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부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
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LM5109B |
SOIC (8) |
4.90 밀리미터 × 3.91 밀리미터 |
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WSON (8) |
4.00 밀리미터 × 4.00 밀리미터 |
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| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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