LM5101AM/NOPB LM5101AMX/NOPB LM5101ASD/NOPB LM5101ASDX/NOPB 전력 경로 운용 IC 게이트 드라이버 100V 3A 하프-브리지
power management integrated circuit
,microchip battery management
LM5101AM/NOPB LM5101AMX/NOPB LM5101ASD/NOPB LM5101ASDX/NOPB 전력 경로 운용 IC 게이트 드라이버 100V 3A 하프-브리지
1가지 특징
- 양쪽 고전위측과 로우-측 엔-채널 모스페트스를 운전합니다
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독립적 높고 낮운전자 논리 입력
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띄우기 공급 전압 최고 118까지 Ｖ DC
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빠른 전달 속도 (전형적인 25 나노 초)
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드라이브 1000-pF는 8 나노 초 상승과 하강 시간을 싣습니다
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우수한 증식 지연 매칭 (전형적인 3 나노 초)
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서플라이 레일 하측 전압 로크 아웃
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저 전력 소모
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HIP2100/HIP2101과 핀 호환
2 애플리케이션
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전류 공급 푸쉬풀 방식 변환기
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반쯤 그리고 풀 브리지 주파수 변환 장치
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동기식 벅 변환기
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두개 스위치 전방향 전력 변환기
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액티브 클램프 컨버터로 앞으로
3가지 기술
고전압 게이트 드라이버가 동기식 벅 또는 반파 브리지 구조에서 고전위측과 로우-측 엔-채널 모스페트스 모두 운전하도록 설계되는 LM5100A/B/C와 LM5101A/B/C. 떠있는 상부 드라이버는 100 Ｖ까지 공급 전압과 함께 작동할 수 있습니다. 한 버전이 게이트 드라이브의 가득 찬 3-A를 제공하는 반면에, 비와 Ｃ 버전은 각각 2에게 한과 1를 제공합니다. 출력은 독립적으로 CMOS 입력 임계치 (LM5100A/B/C) 또는 TTL 입력 임계치 (LM5101A/B/C)로 제어됩니다.
통합된 고전압 다이오드는 고전위측 게이트 드라이브 부트스트랩 캐패시터를 고발하기 위해 제공됩니다. 저 소비 전력을 소비하고 제어 논리에서부터 고전위측 게이트 드라이버까지 깨끗한 레벨 전이를 제공하는 동안 강건한 레벨 시프터는 고속으로 작동합니다. 하측 전압 로크 아웃은 양쪽 로우-측과 고전위측 전원 레일에 제공됩니다. 이러한 기기는 표준 SOIC-8 핀과 SO PowerPAD-8 핀과 WSON-10 pin 패키지에 이용할 수 있습니다. LM5100C와 LM5101C는 또한 MSOP-PowerPAD-8 패키지에 이용할 수 있습니다. LM5101A는 또한 WSON-8 pin 패키지에 이용할 수 있습니다.
장치 정보
|
부품번호 |
입력 임계치 |
피크 출력전류 |
|
LM5100A |
CMOS |
3A |
|
LM5101A |
TTL |
3A |
|
LM5100B |
CMOS |
2A |
|
LM5101B |
TTL |
2A |
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LM5100C |
CMOS |
1A |
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LM5101C |
TTL |
1A |
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