LP5900SD-2.5/NOPB 파워 조정기 IC LDO 전압 조절기 저잡음 100Ma LDO
digital voltage regulator ic
,electronic voltage regulator circuit
LP5900SD-2.5/NOPB 파워 조정기 IC LDO 전압 조절기 저잡음 100Ma LDO
1가지 특징
- 입력전압 범위, 5.5 V에 대한 2.5 V
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출력 전압 레인지, 4.5 V에 대한 1.5 V
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0.47-μF 요업 입력과 출력 커패시터로 안정적입니다
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어떤 소음 바이패스 컨덴서도 요구하지 않았습니다
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통제된 논리는 가능하게 합니다
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열적 과부하와 단락 보호
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작동을 위한 125' C 결합 온도 범위에 대한 -40' C
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출력 전류, 150 마
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저출력 전압 노이즈, 6.5 μVRMS
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PSRR,75dBat1kHz
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출력전압 허용오차, ±2%
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(무력하게 된) 비르투랠리 제로 IQ, < 1="">
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바른 낮은 IQ (가능한), 25 μA
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부팅 시간, 150 μs
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저탈락, 80 mV Typ.
2 애플리케이션
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휴대폰
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PDA 핸드셋
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무선 랜 장치
3가지 기술
LP5900은 150-mA 출력 전류를 공급할 수 있는 LDO입니다. RF와 아날로그 회로를 위한 요구조건을 충족시킨다고 설계되어 LP5900 장치는 저소음, 높은 PSRR, 낮은 정지 전류와 하부 라인 과도 응답 수치들을 제공합니다. 새로운 혁신적 설계 기법을 이용하면서 LP5900은 소음 바이패스 컨덴서 지 않고 동급 선두 장치 잡음 성능을 발표합니다.
장치는 0.47-μF 입출력 세라믹 콘덴서 (요구된 어떤 바이패스 컨덴서)과 함께 일하지 않도록 설계됩니다.
기기는 DSBGA (YZR) 패키지와 WSON 패키지에 이용할 수 있습니다 ; 기기는 또한 극단적으로 가는 DSBGA (YPF) 패키지에 이용할 수 있습니다. 오늘 이용 가능한 모든 전압과 패키지 옵션을 위해 이 데이터 시트의 말에 패키지 옵션 보유 (POA)를 보세요. 1.5 V부터 25-mV 단계와 다른 모든 패키지 옵션에서 4.5 V까지 다른 어떤 고정 출력 전압을 위해 당신의 지역 TI 판매 사무소와 연락하세요.
장치 정보
부품번호 |
패키지 |
신체 크기 |
LP5900 |
DSBGA (4) |
1.108 밀리미터 × 1.083 밀리미터 (맥스) |
WSON (6) |
2.50 밀리미터 × 2.20 밀리미터 (NOM) |

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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