LM5001MAX/NOPB 파워 조정기 IC 스위칭 전압 조절기 고전압 전환 상태 규제 기관
electronic voltage regulator circuit
,variable voltage regulator ic
LM5001MAX/NOPB 파워 조정기 IC 스위칭 전압 조절기 고전압 전환 상태 규제 기관
1가지 특징
- AEC-Q100은 자격을 주었습니다 (125' C에 대한 TJ = -40' C)
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통합된 75-V 엔-채널 MOSFET
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초광폭 입력 전압은 3.1Vto75V에 이릅니다
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통합된 고전압 선입견 규제 기관
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조정할 수 있는 출력 전압
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1.5% 출력 전압 정확도
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선택 가능한 보상과 전류 모드 제어
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광대역폭 에러 증폭기
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통합된 전류 감지와 제한
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통합된 기울기 보상
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85% 최대 듀티 사이클 한계
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단일의 레지스터 진동자 프로그래밍
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진동자 동기화 성능
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실행 / 하측 전압 로크 아웃 (UVLO) 핀
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온도 셧다운
2 애플리케이션
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인더스트리얼과 통신과 자동차 애플리케이션을 위한 DC-DC 전원 공급기
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상승, 플라이백, 세픽과 포워드 컨버터 토폴로지
3가지 기술
LM5001 고전압 스위치 방식 규제 기관은 소수의 외부 부품을 사용하여, 효율적 고전압 상승, 플라이백, 세픽과 포워드 컨버터를 구현하도록 필요한 모든 기능을 특징으로 합니다. 이 사용하기 쉬운 규제 기관은 75-V 엔 채널 MOSFET 를 1-A 피이크 전류 제한과 통합합니다. 전류 모드 제어는 입력 과도 현상을 뛰어난 거절에게 본래 단순한 루프 보상과 라인 전압 피드-포워드를 제공합니다. 전환 주파수는 단일의 레지스터로 설정되고, 프로그램 가능한 최고 1.5까지 마하즈입니다. 진동자는 또한 외부 시계에 동기화될 수 있습니다. 추가적 보호 특징은 다음을 포함합니다 : 전류 한계, 온도 셧다운, 하측 전압 로크 아웃과 원격 폐쇄 역량.
장치 정보
장치 이름 |
패키지 |
신체 크기 |
LM5001 |
SOIC (8) |
4.9 밀리미터 X 3.91 밀리미터 |
WSON (8) |
4 밀리미터 X 4 밀리미터 |
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LM5001Q1 |
SOIC (8) |
4.9 밀리미터 X 3.91 밀리미터 |

W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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