LM5010SD/NOPB 파워 조정기 IC 스위칭 전압 조절기 고전압 1A 단계는 스위칭 레그가 하락합니다
electronic voltage regulator circuit
,variable voltage regulator ic
LM5010SD/NOPB 파워 조정기 IC 스위칭 전압 조절기 고전압 1A 단계는 스위칭 레그가 하락합니다
1가지 특징
- 입력전압 범위 : 75 V에 대한 8 V
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1.25 A에 있는 밸리 전류 한계
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전환 주파수는 1 마하즈를 초과할 수 있습니다
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통합된 엔-채널 벅 스위피
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통합된 벤처 기업 규제 기관
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어떤 루프 보상도 요구하지 않았습니다
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초고속 과도 응답
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동작 주파수는 부하와 라인 변동과 함께 일정하게 유지합니다
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최대 듀티 사이클은 벤처 기업 동안 제한했습니다
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조정할 수 있는 출력 전압
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정확성 2.5-V 피드백 참조
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온도 셧다운
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향상된 열방산을 위한 노출된 써멀 패드
2 애플리케이션
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로드 (POL) 규제 기관의 고효율 점
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비고립형 원거리 통신은 규제 기관을 완강하게 저항합니다
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이차적 고전압 포스트 조절기
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자동차 시스템
3가지 기술
LM5010 단계적 감소 스위칭 조절자는 효율적인 저비용을 구현하는데 필요한 모든 기능을 특징으로 하고 1-A 부하 전류를 초과하여 공급할 수 있는 선입견 규제 기관을 완강하게 저항합니다. 이 고전압 정류기는 엔-채널 벅 스위피를 포함하고, 열띠게 강화한 10 핀 WSON과 14개 핀 HTSSOP 패키지에 이용할 수 있습니다. 히스테레틱 조절 설계는 빠른 부하 과도현상 응답의 결과를 초래한 어떤 루프 보상도 요구하지 않고, 회로 임플러멘테이션을 단순화합니다. 동작 주파수는 입력 전압 사이의 반대 관계와 시간을 엄수한 것 인해 라인과 부하 변화와 함께 일정하게 유지합니다. 밸리 전류 한계 탐지는 1.25 A에 설정됩니다. 추가 기능은 다음을 포함합니다 : VCC 하측 전압 로크 아웃, 온도 셧다운, 게이트 드라이브 하측 전압 로크 아웃과 최대 듀티 사이클 리미터.
장치 정보
부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
LM5010 |
WSON (10) |
4.00 밀리미터 × 4.00 밀리미터 |
HTSSOP (14) |
4.40 밀리미터 × 5.00 밀리미터 |

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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