TXB0104PWR는 프로그램 가능한 성능 칩, IC 메모리 칩 5 μA 최대 ICC를 답니다
programmable computer chip
,programmable logic array ic
TXB0104PWR 프로그래머블 로직 ICS 전압 레벨 4-비트 양방향이 V-수준 번역기
1가지 특징
- 공항 위의 1.2-V 내지 3.6-V와 비 공항 (VCCA ≤ VCCB) 위의 1.65-V 내지 5.5-V
- VCC 고립 피쳐 : 만약 또한 VCC 입력이 국민 총수요에 있다면, 모든 출력이 고-임피던스 상태에 있습니다
- 출력은 (OE) VCCA에 참조 사항이 달린 입력 회로를 가능하게 합니다
- 저 전력 소모, 5-μA 최대 ICC
- 나는 떨어져서 부분 저전력 모드를 지원합니다
- 작동
- 래치-업 성능은 JESD 78, 등급 II 당 100 마를 초과합니다
2 애플리케이션
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헤드셋
-
스마트폰
-
태블릿
-
데스크탑 PC
3가지 기술
이 TXB0104 비트 비전환 번역기는 4명 두개의 분리된 쉽게 잘 믿는 전원 공급장치 철도를 사용합니다. 한 공항은 VCCA를 추적하도록 설계됩니다. VCCA는 1.2 V에서부터 3.6 V까지 어떠한 공급 전압도 받아들입니다. 비 공항은 VCCB를 추적하도록 설계됩니다. VCCB는 1.65 V에서부터 5.5 V까지 어떠한 공급 전압도 받아들입니다. 이것은 어떤 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 및 5-V 전압 노드 사이에 보편적 저전압 양방향성 번역을 고려합니다. VCCA는 VCCB를 초과하지 않아야 합니다.
OE 입력이 낮을 때, 모든 생산량은 고-임피던스 상태에 위치합니다. 전원 켬 또는 전원을 내림, OE 동안 높은 임피던스 상태가 풀다운 레지스터를 통한 국민 총수요와 연관이 있을 것이라는 것을 보증하기 위해 운전의 전류 소싱 기능은 저항기의 최소 값을 결정합니다.
TXB0104 장치가 설계되어서 OE 입력 회로는 VCCA에 의해 공급됩니다.
이 장치는 완전히 I 꺼짐 상태를 사용하여 부분적 전원 끄기 앱을 위해 상세화됩니다. I개 꺼짐 상태 회로는 장치가 아래 강화될 때 장치를 통하여 피해를 입힐 수 있는 현재 역류를 방지하는 출력을 무력하게 합니다.
장치 정보
부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
TXB0104RUT |
UQFN (12) |
2.00 밀리미터 × 1.70 밀리미터 |
TXB0104D |
SOIC (14) |
8.65 밀리미터 × 3.91 밀리미터 |
TXB0104ZXU/GXU |
BGA MICROSTAR JUNIORTM (12) |
2.00 밀리미터 × 2.50 밀리미터 |
TXB0104PW |
TSSOP (14) |
5.00 밀리미터 × 4.40 밀리미터 |
TXB0104RGY |
VQFN (14) |
3.50 밀리미터 × 3.50 밀리미터 |
TXB0104YZT |
DSBGA (12) |
1.40 밀리미터 × 1.90 밀리미터 |
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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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