SN74LVC2G08YZPR 프로그래머블 로직 ICS 논리 게이트 듀얼 2-입력 Pos
SN74LVC2G08YZPR 프로그래머블 로직 ICS 논리 게이트 듀얼 2-입력 Pos
1가지 특징
- 텍사스 인스트루먼츠 사 나노스타트텀과 나노프리티엠 패키지에 이용할 수 있습니다
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5-V VCC 작동을 지지합니다
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입력은 5.5 V에 전압을 받아들입니다
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맥스티피드 of4.7nsat3.3V
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저 전력 소모, 10-μA 최대 ICC
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3.3 V에 있는 ±24-mA 출력 구동
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전형적 VOLP (출력 접지 도약) <0>
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전형적 VOHV (출력 VOH가 과녁에 미치지 못하게 쏩니다) >2VatVCC =3.3V, TA =25' C
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이오프는 생생한 삽입, 부분 전력 아래로 방식을 지원하고, 보호를 후진합니다
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VCC 수준아래로 5.5 V의 최대에서 입력을 번역하기 위해 아래로 번역기로서 사용될 수 있습니다
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래치-업 성능은 JESD 78, 등급 II 당 100 마를 초과합니다
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ESD 보호는 JESD 22를 초과합니다
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- 2000-V 휴먼 바디 모델 (A114 A)
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- 1000-V 대전 장치 모델 (C101)
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2 애플리케이션
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인터넷 전화 단말 : 유선이고 무선입니다
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광 네트워킹 : 에폰과 섬유 에 화면
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지점간 마이크로파 백홀
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전원 : 텔레콤 DC / DC 모듈 : 아날로그
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전원 : 텔레콤 DC / DC 모듈 : 디지털
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구내 전화 교환 시스템 (PBX)
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텔레콤 보호 시설 : 배전기 (PDU)
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벡터 신호 분석기와 생성기
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무선 통신 테스터들
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무선 중계기
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xDSL 모뎀 / DSLAM
3가지 기술
이 듀얼 2 입력 포서티브-AND 게이츠는 1.65-V 내지 5.5-V VCC 작동을 위해 설계됩니다.
SN74LVC2G08 장치는 부울 함수 Y = X 비 또는 Y = + 비를 정논리에서 수행합니다.
다이를 패키지로 이용하여, 나노프리 패키지 기술은 IC 패키징 개념에서 주요 돌파구입니다.
이 장치는 완전히 이오프를 사용하여 부분 전력 아래로 적용을 위해 상세화됩니다. 그것이 아래 강화될 때 장치를 통하여 피해를 입힐 수 있는 현재 역류를 방지하면서, 이오프 회로는 출력을 무력하게 합니다.
장치 정보
부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
SN74LVC2G08DCT |
SM8 (8) |
2.95 밀리미터 × 2.80 밀리미터 |
SN74LVC2G08DCU |
VSSOP (8) |
2.30 밀리미터 × 2.00 밀리미터 |
SN74LVC2G08YZP |
DSBGA (8) |
1.91 밀리미터 × 0.91 밀리미터 |

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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