ACNV260E-300E 집적 회로 높은 것 높은 것 속도 옵토커플러 10MBd 옵토커플러 2 밀리미터 DTI
integrated circuit chip
,radio frequency integrated circuit
ACNV260E-300E 집적 회로 높은 것 높은 것 속도 옵토커플러 10MBd 옵토커플러 2 밀리미터 DTI
기술 특징
새로운 ACNV260E는 와이드보디 패키지에 격납된 AlGaAs 발광 다이오드와 inte 그레이트 포토 검출기를 결합시키는 광학적으로 연결된 게이트입니다. ACNV260E는 EN60079-11 아텍스와 이에크엑스에 따르기 위해 설계되고 제조됩니다. 철저한 거리 - 발광 다이오드와 사진 검출기 사이의 단열재 (DTI)는 2 밀리미터에 있습니다. 검출기 IC의 출력은 개방 컬렉터 숏키 클램프드 트랜지스터입니다. 내부 차폐부는 20,000 V/μs의 보증된 공통 모드 트랜지엔트 면역 speci 양이온을 Vcm = 1500V에 제공합니다
TTL 호환성을 달성하는 동안 이 고유한 디지안은 최대 교류 & 직류 회로 차단을 제공합니다.
특징
EN60079-11 아텍스와 이에크엑스 (375V)에 순응한 오우
오우 2 밀리미터 DTI
오우 13 밀리미터 크리페이지와 제거
VCM = 1500 V에 있는 오우 20 kV/μs 최소 동상 제거 (CMR)
오우 고속도 : 전형적인 10 미세 뇌손상
오우 TTL 호환 가능
온도 에 오우 보증된 교류 & 직류 성능 : +105' C에 대한 -40' C
10-핀 와이드보디 패키지에 이용할 수 있는 오우
오우 안전성 승인
- UL1577 당 1 분 동안 5000 브르엠에스에 있는 승인
- CSA
애플리케이션
오우 고전압 절연물
오우 본질 안전 회로
오우 PCB 보드 전원 시스템 차단
오우 산업 설비 전력 차단

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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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