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CSD19532Q5B Mosfet 파워 트랜지스터 100V 4.0 모흠 N-치 네스페트

제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 100 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 표면 부착 8 VSON-CLIP (5x6)
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
채널 모드:
향상
구성:
단일
최소 동작 온도:
- 55 C
최대 작업 온도:
+ 150 C
Pd - 전력 소모:
Pd - 전력 소모
하이라이트:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

도입

CSD19532Q5B Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 100V 4.0 모흠 N-치 네스페트 파워 모스펫

1가지 특징

  • 저열 저항

  • 쇄도는 평가되었습니다

  • Pb-프리 단자 도금

  • 순응한 로에스

  • 무독성

  • 손흥민 5 밀리미터 × 6 밀리미터 플라스틱 패키지

2 애플리케이션

  • 오프라인이고 고립된 DC dc 컨버터를 위한 동기 정류기

  • 모터 콘트롤

3가지 기술

이 100 V, 4 mΩ, 네스펫텀 파워 모스펫이 전력 변환 응용에서 손실을 최소화하도록 설계되는 아들 5 밀리미터 × 6 밀리미터.

생산 요약법

TA = 25' C

표준값

유닛

VDS

드레인 대 소스 전압

100

큐그

게이트전하 전체 (10 V)

48

nC

큐그드

게이트전하 게이트가 고갈됩니다

8.7

nC

RDS (계속)

저항 위의 드레인 대 소스

VGS = 6 V

4.6

VGS =10V

4

VGS(th)

문턱 전압

2.6

정보(1)를 주문하기

장치

매체

수량

패키지

선박

CSD19532Q5B

13-인치 릴

2500

손흥민 5 X 6 밀리미터 플라스틱 패키지

테이프와 릴

CSD19532Q5BT

13-인치 릴

250

절대 최대 정격

TA = 25' C

가치

유닛

VDS

드레인 대 소스 전압

100

VGS

게이트-소오스 전압

±20

ID

연속배수 경향 (제한된 패키지)

100

A

연속배수 경향 (제한된 실리콘), TC = 25' C

140

연속배수 경향(1)

17

IDM

펄스용 배수 경향(2)

400

A

PD

전원 산재(1)

3.1

전력 소모, TC = 25' C

195

TJ, 트스트그

결합과 보존온도범위를 운영하기

-55 내지 150

'C

EAS

에벌런치 에너지, 단일 펄스 ID =74A,L=0.1mH, RG =25Ω

274

마제이

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