BSC046N10NS3G Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 엔 Ch 100V 100A TDSON-8
제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
구성:
단일
Pd - 전력 소모:
156 Ｗ
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
채널 모드:
향상
큐그 - 게이트전하:
63 nC
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
도입
BSC046N10NS3G Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET N-치 100V 100A TDSON-8
특징
고주파 응용 분야에 대한 오우 매우 낮은 게이트전하
DC-DC 변환에 대해 최적화된 오우
오우 엔-채널, 정상 수준
제품 (FOM) (의) 오우 우수한 게이트전하 Ｘ Ｒ DS
오우 매우 낮은 온 저항 Ｒ DS (계속)
오우 150 'Ｃ 작동 온도
오우 Pb-프리 납 도금 ; 순응한 로에스
대상 애플리케이션 오우에 대해JEDEC1)에 따라 오우 자격 있는 무할로겐 IEC61249-2-21에 따라
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